Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 4Вт · Корпус: SOT-89
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: M243
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: M250
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: M243
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 870MHz · Усиление: 16.2dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 25dB · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 40A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 350Вт · Корпус: M177
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 123MHz · Усиление: 26.8dB · Номинальное напряжение: 250V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 100V · P1dB: 425W · Корпус: M244
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 18В · Номинал тока: 1.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 30dBm · Корпус: SOT-89
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16.2dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 12.3dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 2.82A · Ток - тестовый: 448mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 38.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 2.3GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 4.41A · Ток - тестовый: 1.69A · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 9Вт · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 3.8A · Ток - тестовый: 600mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 39.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 940mA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 33.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: FET · Частота: 1.8GHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 600mA · Коэффициент шума: 1.48dB · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 23.5dBm · Корпус: MW-6
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 8.5GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 294mA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 8V · P1dB: 28.5dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: MESFET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 84mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 3V · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 1.8A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 36.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 10GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 12.5V · Номинал тока: 470mA · Ток - тестовый: 75mA · Напряжение - тестовое: 10V · P1dB: 30.8dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Тип транзистора: HFET · Частота: 6GHz · Усиление: 9.5dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 2.35A · Ток - тестовый: 520mA · Напряжение - тестовое: 8.5V · P1dB: 37dBm · Корпус: Die
Искать в поставщиках
Купить в магазине