Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
J309GJ309GON SemiconductorTRANS GP JFET N-CH 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N5486RLRP2N5486RLRPON SemiconductorIC AMP RF N-CH 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SK3391JXTLRenesas Technology AmericaMOSFET N-CH 17V 300MA UPAK
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 836MHz  ·  Номинальное напряжение: 17В  ·  Номинал тока: 300mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.7V  ·  P1dB: 1.6W  ·  Корпус: UPAK
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SK3720-5-TB-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoMOSFET N-CH 15V 30MA CP
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 35dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Напряжение - тестовое: 10V
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SK3737-5-TL-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoMOSFET N-CH 15V 30MA MCP
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 35dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Напряжение - тестовое: 10V
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
3SK263-5-TG-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoMOSFET N-CH 15V 30MA CP4
Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  ·  Частота: 200MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 30mA  ·  Коэффициент шума: 2.2dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SK3557-7-TB-ESANYO Semiconductor (U.S.A) CoMOSFET N-CH 15V 50MA CP
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 15V  ·  Номинал тока: 50mA  ·  Коэффициент шума: 1dB  ·  Ток - тестовый: 1mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SHF-0189SHF-0189Sirenza Microdevices IncIC HFET ALGAAS/GAAS .5W SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 20.1dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 200mA  ·  Коэффициент шума: 3.2dB  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 8V  ·  P1dB: 27.5dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SLD-1083CZSLD-1083CZSirenza Microdevices IncIC TRANSISTOR LDMOS 3W 2-SOIC
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 902MHz ~ 928MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 35V  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 4Вт  ·  Корпус: 2-SOIC
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SHF-0289SHF-0289Sirenza Microdevices IncIC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 400mA  ·  Коэффициент шума: 4dB  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 7V  ·  P1dB: 30.2dBm  ·  Корпус: SOT-89
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SHF-0289ZSHF-0289ZSirenza Microdevices IncIC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 1.96GHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 9V  ·  Номинал тока: 400mA  ·  Коэффициент шума: 4dB  ·  Ток - тестовый: 200mA  ·  Напряжение - тестовое: 7V  ·  P1dB: 30.2dBm  ·  Корпус: SOT-89
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SPF-3143SPF-3143Sirenza Microdevices IncIC TRANS PHEMT 10GHZ SOT-343
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 1.9GHz  ·  Усиление: 19.9dB  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 180mA  ·  Коэффициент шума: 0.9dB  ·  Ток - тестовый: 40mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  P1dB: 17.7dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SLD-2083CZSLD-2083CZSirenza Microdevices IncIC TRANSISTOR LDMOS 10W 2-SOIC
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 902MHz ~ 928MHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 35V  ·  Ток - тестовый: 125mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: 2-SOIC
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SPF-2086TKSPF-2086TKSirenza Microdevices IncIC TRANS PHEMT 6GHZ SOT-86
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 4GHz  ·  Усиление: 18.7dB  ·  Номинальное напряжение: 7V  ·  Номинал тока: 140mA  ·  Коэффициент шума: 0.5dB  ·  Ток - тестовый: 40mA  ·  Напряжение - тестовое: 5V  ·  P1dB: 20dBm  ·  Корпус: SOT-86
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SKY65050-372LFSkyworks Solutions IncIC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 2.4GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 6V  ·  Номинал тока: 55mA  ·  Коэффициент шума: 0.4dB  ·  Ток - тестовый: 20mA  ·  Напряжение - тестовое: 3V  ·  P1dB: 10.5dBm  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2918SD2918STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 6A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: M113
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57002STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 250mA  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD3931-10SD3931-10STMicroelectronicsIC RF PWR TRANS HF/VHF/UHF M174
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 150MHz  ·  Усиление: 21.3dB  ·  Номинальное напряжение: 250V  ·  Номинал тока: 10A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 100V  ·  P1dB: 175W  ·  Корпус: M174
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD54003-EPD54003-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 4A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 7.5V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57060TR-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.3dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 7A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD20010STR-ESTMicroelectronicsTRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 13.6V  ·  P1dB: 10Вт  ·  Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2931-11STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: M246
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2931-10SD2931-10STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M174
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 20A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: M174
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PD57045SSTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 945MHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2933SD2933STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 23.5dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 40A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: M177
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 40414243444546 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте