Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PD54008S-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85035S-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003L-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57070S-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 70Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	STAC3932B	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH 580W STAC244B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 123MHz · Номинальное напряжение: 250V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 100V · P1dB: 580W	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008L-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57060-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14.3dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20015-E	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003S	STMicroelectronics	IC TRANX RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57018S	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85015S-E	STMicroelectronics	IC RF PWR TRANSISTOR PWRSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57070-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 14.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 70Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57018-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 18W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008TR	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SD56150	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF POWER LDMOST M252 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 17A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 150Вт · Корпус: M252		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SD2941-10	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M174 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 130V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 175W · Корпус: M174	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85035TR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003STR-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SD56120	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF PWR LDMOST M246 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 860MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 14A · Ток - тестовый: 400mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт · Корпус: M246	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST POWERFLAT Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55025TR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 25Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008STR-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55025	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 25Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85025STR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 17.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 42 43 44 454647 48 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте