Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BLA0912-250,112BLA0912-250,112NXP SemiconductorsTRANS LDMOS NCH 75V SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 960MHz ~ 1.22GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 75V  ·  Номинал тока: 1µA  ·  Напряжение - тестовое: 36V  ·  P1dB: 250Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLA1011-300,112BLA1011-300,112NXP SemiconductorsTRANS LDMOS NCH 75V SOT957A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT957A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP21KHR6Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 1000W NI1230
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 225MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP21KHR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V NI-1230
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 225MHz  ·  Усиление: 24dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CGH40045FCGH40045FCree IncTRANS 45W RF GAN HEMT 440193 PKG
Тип транзистора: HEMT  ·  Частота: 2.5GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 84V  ·  Номинал тока: 14A  ·  Ток - тестовый: 400mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 55Вт  ·  Корпус: 440193
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CRF24060FECree IncIC MESFET SIC 60W FLANGED 440193
Тип транзистора: MESFET  ·  Частота: 1.1GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 120V  ·  Номинал тока: 9A  ·  Ток - тестовый: 2A  ·  Напряжение - тестовое: 48V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: 440193
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP121KHR6Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V NI-1230
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 1.03GHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 100µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP121KHSR6Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V NI-1230S
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 1.03GHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 100µA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP41KHSR6Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 1000W NI1230S
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 450MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP41KHR6Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 1000W NI1230
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 450MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP41KHR7Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V NI-1230
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 450MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP41KHR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 1000W NI1230
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 450MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP41KHSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 1000W NI1230S
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 450MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6VP41KHSR7Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 1000W NI1230S
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 450MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 1000W  ·  Корпус: NI-1230S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CMPA0060002FCMPA0060002FCree IncTRANS RF GAN HEMT MMIC 780019PKG
Тип транзистора: HEMT/ммIC  ·  Частота: 4GHz  ·  Усиление: 10dB  ·  Номинальное напряжение: 84V  ·  Номинал тока: 1.4A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: 780019
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CGH40090PPCGH40090PPCree IncTRANS 90W RF GAN HEMT 440199 PKG
Тип транзистора: HEMT  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 12.5dB  ·  Номинальное напряжение: 84V  ·  Номинал тока: 28A  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: 440199
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
CGH40120FCGH40120FCree IncTRANS 120W RF GAN HEMT 440193PKG
Тип транзистора: HEMT  ·  Частота: 1.3GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 84V  ·  Номинал тока: 28A  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: 440193
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
J310ZL1GJ310ZL1GON SemiconductorMOSFET VHF/UHF N-CH 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 100MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 60mA  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 10V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFG35003M6T1Freescale SemiconductorMOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
Тип транзистора: pHEMT FET  ·  Частота: 3.55GHz  ·  Усиление: 9dB  ·  Номинальное напряжение: 8V  ·  Номинал тока: 2.9A  ·  Ток - тестовый: 180mA  ·  Напряжение - тестовое: 6V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PLD-1.5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF19045LR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-400
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: NI-400
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MMBF4416LT1MMBF4416LT1ON SemiconductorMOSFET SS N-CHAN VHF 30V SOT23
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 15mA  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF5S21100HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.05A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 23Вт  ·  Корпус: NI-780S
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200RN:11NXP SemiconductorsTRANS LDMOS POWER 200W SOT-502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212001F/1 P4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G20LS-110B,112BLF4G20LS-110B,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.4dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 650mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 39404142434445 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте