Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MRFE6S9160HR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-780	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFE6S9160HSR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-780S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA181001F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.85GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 100Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA191001E V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA191001F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 44dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G27S-45,112	NXP Semiconductors	IC WIMAX 2.7GHZ SOT608B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 7Вт · Корпус: SOT-608B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G27-45,112	NXP Semiconductors	IC WIMAX 2.7GHZ SOT608A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.7GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 20A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 7Вт · Корпус: SOT-608A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S23100HSR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.3GHz · Усиление: 15.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-780S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S23100HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.3GHz · Усиление: 15.4dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 20Вт · Корпус: NI-780	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G22LS-75,112	NXP Semiconductors	TRANS BASESTATION 2-LDMOST Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.11GHz · Усиление: 18.7dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 690mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 17Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BLF6G20LS-75,112	NXP Semiconductors	IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.93GHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 29.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6V2300NBR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 50V TO-272-4 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 220MHz · Усиление: 25.5dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 2.5mA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: TO-272-4	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF5S4140HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 465MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 28Вт · Корпус: NI-780	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF5S4140HSR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 465MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 28Вт · Корпус: NI-780S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF5S4140HSR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 465MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 28Вт · Корпус: NI-780S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF5S4140HR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 465MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 28Вт · Корпус: NI-780	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA260851E V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PTFA260851F V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFE6S9160HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-780	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFE6S9160HSR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 35W 28V NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 66V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-780S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S9160HSR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780S Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 20.9dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-780S	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6S9160HR5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 880MHz · Усиление: 20.9dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35Вт · Корпус: NI-780	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF7S18125BHR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.93GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-780	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF7S18125AHR3	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.88GHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.1A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 125Вт · Корпус: NI-780	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 11 12 131415 16 17 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте