Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MRF5S9150HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.7dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.5A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19120HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 19Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19120HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 19Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19120HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 19Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S19120HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.99GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 19Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-140,118BLF6G20LS-140,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT896B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 39A  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22LS-130,118BLF6G22LS-130,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION DRIVER SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 34A  ·  Ток - тестовый: 1.1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF18060ALR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.81GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 6µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF18060ALR3Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.81GHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 6µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S27085HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.63GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S27085HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.63GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFE6S9135HSR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 940MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 39Вт  ·  Корпус: NI-880S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFE6S9135HR3Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 940MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 39Вт  ·  Корпус: NI-880
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFE6S9130HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 27W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.2dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRFE6S9130HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 27W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.2dB  ·  Номинальное напряжение: 66V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V4300NBR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 50V TO-272-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 450MHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: TO-272-4
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G22LS-100,118NXP SemiconductorsTRANS BASESTATION 2-LDMOST
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 18.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 29A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-110,118BLF6G20LS-110,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 29A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF18085ALSR5Freescale SemiconductorIC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 1.88GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 800mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 90Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF246B,112BLF246B,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT161A
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 175MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 8A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 60Вт  ·  Корпус: SOT-161A
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6S9130HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 880MHz  ·  Усиление: 19.2dB  ·  Номинальное напряжение: 68V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 27Вт  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10-135RN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF6V2300NR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 300W TO-270-4
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 220MHz  ·  Усиление: 25.5dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 2.5mA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: TO-270-4
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S21110HR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 33W NI-780
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 17.3dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: NI-780
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MRF7S21110HSR5Freescale SemiconductorMOSFET RF N-CH 33W NI-780S
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 17.3dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: NI-780S
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 10111213141516 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте