Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PD20010-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20010S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55015S-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55015-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85015-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MW6S010GNR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-2GW Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2 Gull Wing	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55015STR-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85015TR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85015STR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20015-E	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003ANR5	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008TR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF POWERSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE55410GR-T3-AZ	NEC	MOSFET LD N-CHAN 28V 16-HTSSOP Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 250mA, 1A · Ток - тестовый: 20mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 35.4dBm · Корпус: 16-TSSOP Exposed Pad, 16-eTSSOP, 16-HTSSOP	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57006STR-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 70mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 6W · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF9002NR2	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP Тип транзистора: 3 N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 37dBm · Корпус: PFP-16	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD85015S-E	STMicroelectronics	IC RF PWR TRANSISTOR PWRSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF1535NT1	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 WRAP Тип транзистора: N-Channel · Частота: 520MHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 35Вт · Корпус: TO-272-6 wrap	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF1535FNT1	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 520MHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 35Вт · Корпус: TO-272-6	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20010TR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005MT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20015S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 350mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 15Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55025-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 14.5dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 25Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35005ANT1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 80mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 4.5W · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF6V2010NR1	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 220MHz · Усиление: 23.9dB · Номинальное напряжение: 110V · Номинал тока: 2.5mA · Ток - тестовый: 30mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 11 12 131415 16 17 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте