Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MRF1518NT1	Freescale Semiconductor	IC MOSFET RF N-CHAN PLD-1.5 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 520MHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57002	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 250mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE5520379A-A	NEC	MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 915MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.5A · Напряжение - тестовое: 3.2V · P1dB: 35.5dBm · Корпус: 79A	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	ATF-501P8-BLK	Avago Technologies US Inc.	IC TRANS E-PHEMT LOW NOISE LPCC Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 1A · Коэффициент шума: 1dB · Ток - тестовый: 280mA · Напряжение - тестовое: 4.5V · P1dB: 29dBm · Корпус: 8-LPCC	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE5520279A-A	NEC	MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.8GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 600mA · Ток - тестовый: 700mA · Напряжение - тестовое: 3.2V · P1dB: 32dBm · Корпус: 79A	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57002S-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 250mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57002-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 250mA · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003S	STMicroelectronics	IC TRANX RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35002N6T1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 65mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 1.5Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD54003-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35002N6AT1	Freescale Semiconductor	TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 1.7A · Ток - тестовый: 65mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 1.5Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE5511279A-T1-A	NEC	MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 3A · Ток - тестовый: 400mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 40dBm · Корпус: 79A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE552R479A-A	NEC	MOSFET LD N-CHAN 3V 79A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 2.45GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 300mA · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 26dBm · Корпус: 79A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SHF-0289Z	Sirenza Microdevices Inc	IC HFET ALGAAS/GAAS 1W SOT-89 Тип транзистора: HFET · Частота: 1.96GHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 9V · Номинал тока: 400mA · Коэффициент шума: 4dB · Ток - тестовый: 200mA · Напряжение - тестовое: 7V · P1dB: 30.2dBm · Корпус: SOT-89	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003TR-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55003STR-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD54003S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 12dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 3Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008L-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerFLAT™ (5 x 5)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF1517NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH PLD-1.5 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 520MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRF1511NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH PLD-1.5 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57006TR-E	STMicroelectronics	TRANSISTOR RF POWERSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 70mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 6W · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57006S	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 70mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 6W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 9 10 111213 14 15 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте