Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Подсказывать возможные варианты

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PD54008S-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD54008-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008TR	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57006S-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 70mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 6W · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD57006-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 945MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 70mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 6W · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84008-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16.2dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD54008	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST POWERFLAT Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	NE5511279A-A	NEC	MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 900MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 20В · Номинал тока: 3A · Ток - тестовый: 400mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 40dBm · Корпус: 79A	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD55008STR-E	STMicroelectronics	IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD54008TR-E	STMicroelectronics	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 500MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 8Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003MT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003N6T1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 9dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84010-E	STMicroelectronics	TRANS RF POWER LDMOST N-CH Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD20010STR-E	STMicroelectronics	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 13.6V · P1dB: 10Вт · Корпус: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003N6AT1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003ANT1	Freescale Semiconductor	TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 10.8dB · Номинальное напряжение: 15V · Номинал тока: 1.3A · Ток - тестовый: 55mA · Напряжение - тестовое: 12В · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MW6S004NT1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CHAN 28V 4W PLD-1.5 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 1.96GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 4Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84008S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: N-Channel · Частота: 870MHz · Усиление: 16.2dB · Номинальное напряжение: 25V · Номинал тока: 7A · Ток - тестовый: 250mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MRFG35003M6R5	Freescale Semiconductor	MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 3.55GHz · Усиление: 9dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 2.9A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 6V · P1dB: 3Вт · Корпус: PLD-1.5	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PD84010S-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF Тип транзистора: LDMOS · Частота: 870MHz · Усиление: 16.3dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 7.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MW6S010NR1	Freescale Semiconductor	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 960MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 68V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 125mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 10Вт · Корпус: TO-270-2	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

← Ctrl предыдущая1 ... 10 11 121314 15 16 ... 49следующая Ctrl →

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов

Регистрация • Реклама на сайте