Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

PD54008TR-E — TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF

ПроизводительSTMicroelectronics
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораLDMOS
Частота500MHz
Усиление11.5dB
Номинальное напряжение25V
Номинал тока5A
Ток - тестовый150mA
Напряжение - тестовое7.5V
P1dB8Вт
КорпусPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Встречается под наим.497-8803-2, PD54008TR-E-ND
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PD54008S-EPD54008S-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 7.5V  ·  P1dB: 8Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
PD54008STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 7.5V  ·  P1dB: 8Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PD54008-EPD54008-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 150mA  ·  Напряжение - тестовое: 7.5V  ·  P1dB: 8Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PD54008TR-E» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте