Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы
 
PD55003-E

- Габаритный чертеж

PD55003-E — TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10

ПроизводительSTMicroelectronics
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораLDMOS
Частота500MHz
Усиление17dB
Номинальное напряжение40В
Номинал тока2.5A
Ток - тестовый50mA
Напряжение - тестовое12.5V
P1dB3Вт
КорпусPowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Встречается под наим.497-5297-5
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PD55003STMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PD55003STR-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PD55003S-EPD55003S-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PD55003SSTMicroelectronicsIC TRANX RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
PD55003TR-ESTMicroelectronicsIC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 17dB  ·  Номинальное напряжение: 40В  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 12.5V  ·  P1dB: 3Вт  ·  Корпус: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PD55003-E» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте