Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BLF6G10-45,112NXP SemiconductorsTRANS LDMOS 1GHZ SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 22.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 1Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 5609,56Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10-45,135NXP SemiconductorsTRANS LDMOS 1GHZ SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 22.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 1Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 5048,60Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-135R,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 9292,80Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-135R,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 8803,71Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-135RN:11NXP SemiconductorsTRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-160,112BLF6G10LS-160,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1GHz  ·  Усиление: 28dB  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 11457,95Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-160,118BLF6G10LS-160,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1GHz  ·  Усиление: 28dB  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 11082,96Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-160RN,11NXP SemiconductorsTRANS LDMOS POWER 160W SOT-502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 22.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 39A  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 32Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 8499,76Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200,112BLF6G10LS-200,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200,118BLF6G10LS-200,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200R,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 13056,97Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200R,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 12629,67Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-200RN:11NXP SemiconductorsTRANS LDMOS POWER 200W SOT-502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10S-45,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION DRIVER SOT608B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 23dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 350mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 1Вт  ·  Корпус: SOT-608B
от 5609,56Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-110,112BLF6G20-110,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 29A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 8057,55Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-180PN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT539A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 18dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: 5-LDMOST
от 9877,54Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-230PNXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5µA  ·  Ток - тестовый: 2A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 50Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 6649,78Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-45,112BLF6G20-45,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR BASESTATION SOT-608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 19.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 360mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2.5Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 5883,47Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20-45,135BLF6G20-45,135NXP SemiconductorsTRANS BASESTATION LDMOS SOT608A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.8GHz  ·  Усиление: 19.2dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 360mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 2.5Вт  ·  Корпус: SOT-608A
от 5295,12Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-110,112BLF6G20LS-110,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 29A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 8057,55Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-110,118BLF6G20LS-110,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 29A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 7633,47Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-140,112BLF6G20LS-140,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT896B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 39A  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 7121,17
до 9339,24
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-140,118BLF6G20LS-140,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT896B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 39A  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 35.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 7879,98Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-75,112BLF6G20LS-75,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 29.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 7264,46Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G20LS-75,118BLF6G20LS-75,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Ток - тестовый: 550mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 29.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 6895,08Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 9101112131415 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2020 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте