Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BLF346,112BLF346,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT119A
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 224.25MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 13A  ·  Ток - тестовый: 3A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: SOT-119A
от 21697,58Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF368,112BLF368,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT262A1
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 225MHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 25A  ·  Ток - тестовый: 250mA  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: SOT-262A1
от 20392,46
до 23654,77
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF3G21-30,112BLF3G21-30,112NXP SemiconductorsBASESTATION DVR 2.2GHZ SOT467C
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 4.5A  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
от 6385,47Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF3G21-6,112BLF3G21-6,112NXP SemiconductorsBASESTATION DVR 2.2GHZ SOT538A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.3A  ·  Ток - тестовый: 90mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 6W  ·  Корпус: SOT-538A
от 2690,43
до 4014,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G10-160,112BLF4G10-160,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894MHz  ·  Усиление: 19.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 160W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G10LS-120,112BLF4G10LS-120,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 920MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 650mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 48W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G10LS-160,112BLF4G10LS-160,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894.2MHz  ·  Усиление: 19.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 160W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G20-110B,112BLF4G20-110B,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2GHZ SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G20LS-110B,112BLF4G20LS-110B,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.4dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 650mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G20LS-130,112BLF4G20LS-130,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 14.6dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 130Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G20S-110B,112BLF4G20S-110B,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 1.93GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 700mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 100Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G22LS-130,112BLF4G22LS-130,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 1.15A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 33W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF4G22S-100,112BLF4G22S-100,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.11GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 25Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF542,112BLF542,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT171A
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 16.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 1.5A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 5Вт  ·  Корпус: SOT-171A
от 3372,66
до 5031,95
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF544,112BLF544,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT171A
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 960MHz  ·  Усиление: 7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 3.5A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: SOT-171A
от 4079,56
до 5547,88
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF546,112BLF546,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT268A
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 13dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 9A  ·  Ток - тестовый: 80mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 80Вт  ·  Корпус: SOT-268A
от 16394,55Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF548,112BLF548,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT262A2
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  ·  Частота: 500MHz  ·  Усиление: 11dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 160A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 150Вт  ·  Корпус: SOT-262A2
от 21697,58Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF571,112BLF571,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT467C
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 225MHz  ·  Усиление: 27.5dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 3.6A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 20Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
от 5597,11
до 7477,81
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF573S,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 225MHz  ·  Усиление: 27.2dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 42A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 300Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 11216,59Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF574,112BLF574,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT539A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 225MHz  ·  Усиление: 26.5dB  ·  Номинальное напряжение: 110V  ·  Номинал тока: 56A  ·  Ток - тестовый: 1A  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 400Вт  ·  Корпус: 5-LDMOST
от 18127,22
до 21028,01
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF647,112BLF647,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF DMOS SOT540A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 600MHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: 4-LDMOST
от 15861,99
до 18400,18
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF647A,112BLF647A,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR RF LDMOS SOT540A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 600MHz  ·  Усиление: 14.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 18A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 120W  ·  Корпус: 4-LDMOST
от 14644,41Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10-135RN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 7670,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10-160RN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 922.5MHz  ·  Усиление: 22.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 39A  ·  Ток - тестовый: 1.2A  ·  Напряжение - тестовое: 32V  ·  P1dB: 32Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 8619,59Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10-200RN,112NXP SemiconductorsTRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 20dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 49A  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 40Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502A
от 9484,44Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 891011121314 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте