Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
TPS1120DR | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120DRG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120D | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
QS6J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD63P02XTA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 20V 1.7A 8-MSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 870mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7504TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 240pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
US6J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 150pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD4401PT3G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD4401PT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF5850TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 320pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF5850TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 320pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7104TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7104 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7104PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCF8301(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A VS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: VS-8 (2-3U1B) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF5810TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF5810TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD4102PT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 750pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EM6J1T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 200MA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 115pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9933 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.2A · Емкость @ Vds: 870pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMDF2P02HDR2 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.3A · Емкость @ Vds: 588pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
NDS9947 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 542pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7755 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.9A · Емкость @ Vds: 1090pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
IRF7755TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.9A · Емкость @ Vds: 1090pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |