Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
FDS4935A | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1233pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6322C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 460mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDZ2553NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 9.6A BGA Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9.6A · Емкость @ Vds: 1240pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 12-BGA (18 pos) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDD8424H_F085 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 9A, 6.5A · Емкость @ Vds: 1000pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (4 leads + tab) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDY2000PZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-563F Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 350mA · Емкость @ Vds: 100pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 446mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS8934A | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1130pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6912 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL PWM OPT 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 740pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS4895C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N P-CH 40V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.5A, 4.4A · Емкость @ Vds: 410pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDD8424H | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 9A, 6.5A · Емкость @ Vds: 1000pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (4 leads + tab) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6000NZ_F077 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.3A 6-SSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.3A · Емкость @ Vds: 840pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS6984AS | Fairchild Semiconductor | MOSFET SCHOTTKY N-CH DUAL 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.5A, 8.5A · Емкость @ Vds: 420pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS8928A | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 30/20V 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.5A, 4A · Емкость @ Vds: 900pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FD6M045N06 | Fairchild Semiconductor | IC RECT MOD 60V/60A SYNC EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Ток @ 25°C: 60A · Емкость @ Vds: 3890pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: EPM15 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6432SH | Fairchild Semiconductor | MOSFET/SYNCFET N/PCH SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 12V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 2.5A · Емкость @ Vds: 270pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDMS9600S | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V POWER56 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 12A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 12A, 16A · Емкость @ Vds: 1705pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP, Power56 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FQS4903TF | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 500V 0.37A 8SOP Серия: QFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 Ohm @ 185mA ,10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 370mA · Емкость @ Vds: 200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6306P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.9A · Емкость @ Vds: 441pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9945 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 345pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SSD2007ASTF | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NDS9956A | Fairchild Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 320pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2510NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 6.4A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.4A · Емкость @ Vds: 870pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDR8508P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A SSOT-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 750pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SSOT, SuperSOT-8 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SSD2025TF | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDS4885C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 40V 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.5A, 6A · Емкость @ Vds: 900pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDW2506P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 5.3A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 1015pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |