Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
AON3806AON3806Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 20V 6.8A 8-DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.8A  ·  Емкость @ Vds: 615pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-DFN
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS8333CFDS8333CFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 4.1/3.4A 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.1A, 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 282pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4532DYSI4532DYFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.9A, 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 235pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BSL205N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 20V 2.5A TSOP-6
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 419pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DMC3035LSD-13Diodes IncMOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.9A, 5A  ·  Емкость @ Vds: 384pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS4897CFDS4897CFairchild SemiconductorMOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.2A, 4.4A  ·  Емкость @ Vds: 760pF @ 20V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6K2TRUS6K2TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 1.4A  ·  Емкость @ Vds: 70pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA1024NZFDMA1024NZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 500pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO7800AO7800Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 20V .9A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 900mA  ·  Емкость @ Vds: 120pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO7600AO7600Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 20V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 900mA, 600mA  ·  Емкость @ Vds: 120pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLJD3181PZTBGON SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 450pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 710мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-WDFN
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLJD3115PTAGON SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 531pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 710мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-WDFN
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTLJD3181PZTAGON SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 450pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 710мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-WDFN
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA2002NZFDMA2002NZFairchild SemiconductorIC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 220pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AO8810AO8810Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1160pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1016X-T1-E3SI1016X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 485mA, 370mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1033X-T1-E3SI1033X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH 20V 145MA SOT563F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 145mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1035X-T1-E3SI1035X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 180mA, 145mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDW2601NZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 30V 8.2A 8-TSSO
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 8.2A  ·  Емкость @ Vds: 1840pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
NTHD4401PT3GNTHD4401PT3GON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.1A  ·  Емкость @ Vds: 300pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS9926AFDS9926AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 8SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA1025PFDMA1025PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH DUAL 20V 3.1A MLP2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A  ·  Емкость @ Vds: 450pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA1028NZFDMA1028NZFairchild SemiconductorIC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.7A  ·  Емкость @ Vds: 340pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6J2TRUS6J2TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1A  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
US6M2TRUS6M2TRRohm SemiconductorMOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30V, 20V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A, 1A  ·  Емкость @ Vds: 80pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: TUMT6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 6789101112 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте