Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
AON3806 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V 6.8A 8-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.8A · Емкость @ Vds: 615pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS8333C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 4.1/3.4A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.1A, 3.4A · Емкость @ Vds: 282pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4532DY | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.9A, 3.5A · Емкость @ Vds: 235pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSL205N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.5A TSOP-6 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 419pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMC3035LSD-13 | Diodes Inc | MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.9A, 5A · Емкость @ Vds: 384pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS4897C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.2A, 4.4A · Емкость @ Vds: 760pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
US6K2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.4A · Емкость @ Vds: 70pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA1024NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 500pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO7800 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V .9A SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 900mA · Емкость @ Vds: 120pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO7600 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 900mA, 600mA · Емкость @ Vds: 120pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLJD3181PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLJD3115PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 531pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTLJD3181PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 710мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-WDFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA2002NZ | Fairchild Semiconductor | IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 220pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 650мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AO8810 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1160pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1016X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA, 370mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1033X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH 20V 145MA SOT563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 145mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1035X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 180mA, 145mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDW2601NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V 8.2A 8-TSSO Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 8.2A · Емкость @ Vds: 1840pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NTHD4401PT3G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Емкость @ Vds: 300pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDS9926A | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 8SOIC Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 650pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA1025P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.1A MLP2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A · Емкость @ Vds: 450pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDMA1028NZ | Fairchild Semiconductor | IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.7A · Емкость @ Vds: 340pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
US6J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 150pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
US6M2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.5A, 1A · Емкость @ Vds: 80pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TUMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |