Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IXTL2X200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 85V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V · Ток @ 25°C: 112A · Емкость @ Vds: 7600pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUSi5-Pak™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IXTL2X240N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 Серия: TrenchMV™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V · Ток @ 25°C: 140A · Емкость @ Vds: 7600pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 150Вт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: ISOPLUSi5-Pak™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7503TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.4A · Емкость @ Vds: 210pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7507TR | International Rectifier | MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.4A, 1.7A · Емкость @ Vds: 260pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7509TR | International Rectifier | MOSFET N+P 30V 2A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2A · Емкость @ Vds: 210pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7506TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8 Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.7A · Емкость @ Vds: 180pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Micro8™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MP6404(Q) | Toshiba | MOSFET MOD N/P-CH 60V 5A 12-SIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 370pF @ 10V · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.2W · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 12-SIP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MP4212(Q) | Toshiba | MOSFET MOD N/P-CH 60V 5A 10-SIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 370pF @ 10V · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DI9952T | Diodes Inc | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 2.9A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DI9942T | Diodes Inc | MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 2.5A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DI9956T | Diodes Inc | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 3.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRFI4020H-117P | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 9.1A TO-220FP-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 200В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V · Ток @ 25°C: 9.1A · Емкость @ Vds: 1240pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 21Вт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-5 Full Pack (Straight Leads) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MP4209(Q) | Toshiba | MOSFET MOD N-CH 100V 3A 10-SIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 280pF @ 10V · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MP4411(Q) | Toshiba | MOSFET MOD N-CH DUAL 100V 12-SIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Емкость @ Vds: 280pF @ 10V · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.2W · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 12-SIP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7946DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7331TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 1340pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7994DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V · Ток @ 25°C: 20A · Емкость @ Vds: 3500pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 3.5W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRFI4019H-117P | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 8.7A TO-220FP-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.7A · Емкость @ Vds: 810pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 18W · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-5 Full Pack (Straight Leads) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7335D1TR | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC Серия: FETKY™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 1500pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMN2A04DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A · Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRF7379IPBF | International Rectifier | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.8A, 4.3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7956DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.6A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMC6A09DN8TA | Diodes/Zetex | MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 8.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.9A, 3.7A · Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXMD65P03N8TA | Diodes/Zetex | MOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.8A · Емкость @ Vds: 930pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7234DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V · Ток @ 25°C: 24.8A · Емкость @ Vds: 5000pF @ 6V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 3.5W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |