Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
IXTL2X200N085TIXYSMOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK
Серия: TrenchMV™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 85V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 112A  ·  Емкость @ Vds: 7600pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOPLUSi5-Pak™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IXTL2X240N055TIXTL2X240N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 140A ISOPLUS I5
Серия: TrenchMV™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 140A  ·  Емкость @ Vds: 7600pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 150Вт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: ISOPLUSi5-Pak™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7503TRIRF7503TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.4A  ·  Емкость @ Vds: 210pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7507TRIRF7507TRInternational RectifierMOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.4A, 1.7A  ·  Емкость @ Vds: 260pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7509TRIRF7509TRInternational RectifierMOSFET N+P 30V 2A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.7A, 2A  ·  Емкость @ Vds: 210pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7506TRIRF7506TRInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.7A  ·  Емкость @ Vds: 180pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MP6404(Q)ToshibaMOSFET MOD N/P-CH 60V 5A 12-SIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 370pF @ 10V  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.2W  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 12-SIP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MP4212(Q)ToshibaMOSFET MOD N/P-CH 60V 5A 10-SIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 370pF @ 10V  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 10-SIP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DI9952TDI9952TDiodes IncMOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DI9942TDI9942TDiodes IncMOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC
Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 2.5A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
DI9956TDI9956TDiodes IncMOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 3.7A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRFI4020H-117PInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 9.1A TO-220FP-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 5.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 200В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 9.1A  ·  Емкость @ Vds: 1240pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 21Вт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-5 Full Pack (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MP4209(Q)ToshibaMOSFET MOD N-CH 100V 3A 10-SIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 280pF @ 10V  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 10-SIP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MP4411(Q)ToshibaMOSFET MOD N-CH DUAL 100V 12-SIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 280pF @ 10V  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.2W  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 12-SIP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7946DP-T1-E3SI7946DP-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 150V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7331TRIRF7331TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1340pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7994DP-T1-GE3SI7994DP-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 20A  ·  Емкость @ Vds: 3500pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 3.5W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRFI4019H-117PInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 8.7A TO-220FP-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 150V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 8.7A  ·  Емкость @ Vds: 810pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 18W  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-5 Full Pack (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7335D1TRIRF7335D1TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
Серия: FETKY™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 10A  ·  Емкость @ Vds: 1500pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMN2A04DN8TAZXMN2A04DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.9A  ·  Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7379IPBFIRF7379IPBFInternational RectifierMOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.8A, 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7956DP-T1-E3SI7956DP-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 150V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.6A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMC6A09DN8TAZXMC6A09DN8TADiodes/ZetexMOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 8.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24.2nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.9A, 3.7A  ·  Емкость @ Vds: 1407pF @ 40V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXMD65P03N8TAZXMD65P03N8TADiodes/ZetexMOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25.7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.8A  ·  Емкость @ Vds: 930pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7234DP-T1-GE3SI7234DP-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DL 12V PWRPAK 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 24.8A  ·  Емкость @ Vds: 5000pF @ 6V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 3.5W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 6789101112 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте