Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
STS3DNE60LSTS3DNE60LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 815pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS3C2F100STS3C2F100STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 100V 3A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS2DPF80STS2DPF80STMicroelectronicsMOSFET P-CH DUAL 80V 2.3A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 80V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 739pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS2DNF30LSTS2DNF30LSTMicroelectronicsMOSFET N-CHAN DUAL 30V 3A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Емкость @ Vds: 121pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS1DNC45STS1DNC45STMicroelectronicsMOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC
Серия: SuperMESH™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 450V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 400mA  ·  Емкость @ Vds: 160pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STS10DN3LH5STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 10A  ·  Емкость @ Vds: 475pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STC6NF30VSTC6NF30VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 2.5V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 800pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STC5NF30VSTC5NF30VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STC5NF20VSTC5NF20VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
STC5DNF30VSTC5DNF30VSTMicroelectronicsMOSFET N-CH DUAL 30V 8-TSSOP
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SSM6N7002FU(TE85LF)ToshibaMOSFET N-CHANNEL 60V S-MINI
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Ток @ 25°C: 200mA  ·  Емкость @ Vds: 17pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SSD2025TFSSD2025TFFairchild SemiconductorMOSFET DUAL N-CHAN 60V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.3A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SSD2009ATFSSD2009ATFFairchild SemiconductorMOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SSD2007ATFSSD2007ATFFairchild SemiconductorMOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SSD2007ASTFSSD2007ASTFFairchild SemiconductorMOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8M9TBSP8M9TBRohm SemiconductorMOSFET N+P 30V 9A/5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 9A, 5A  ·  Емкость @ Vds: 1190pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8M8TBSP8M8TBRohm SemiconductorMOSFET N+P 30V 6A/4.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A, 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8M7TBSP8M7TBRohm SemiconductorMOSFET N+P 30V 5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A, 7A  ·  Емкость @ Vds: 230pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8M6TBSP8M6TBRohm SemiconductorMOSFET N+P 30V 3.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A, 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 230pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8M5TBSP8M5TBRohm SemiconductorMOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A, 7A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8M4TBSP8M4TBRohm SemiconductorMOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 9A, 7A  ·  Емкость @ Vds: 1190pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8M3TBSP8M3TBRohm SemiconductorMOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A, 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 230pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8M10TBSP8M10TBRohm SemiconductorMOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 7A, 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 600pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8K5TBSP8K5TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 140pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SP8K4TBSP8K4TBRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 9A  ·  Емкость @ Vds: 1190pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 567891011 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте