Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SI1913EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 880mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 570mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3951DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.1nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 250pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.14W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6926ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI5947DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 480pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® ChipFet Dual | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI7942DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 100V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.8A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4559ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.3A, 3A · Емкость @ Vds: 665pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7962DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1035X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 180mA, 145mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6928DQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4931DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 12V 6.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 52nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.7A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7922DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 100V PPAK 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.8A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIA914DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 8V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 400pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI5938DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 20V 6A 8PWRPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 8V · Ток @ 25°C: 7.2A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® ChipFet Dual | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI7905DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DL 40V PWRPAK 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 880pF @ 20V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4804BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1034X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 20V 180MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 180mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI5944DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 40V 6A 8PWRPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.28A · Емкость @ Vds: 210pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® ChipFet Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1539DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 10V · Ток @ 25°C: 540mA, 420mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7940DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.6A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI5943DU-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 8V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® ChipFet Dual | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI7980DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DL 20V PWRPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.8A, 11A · Емкость @ Vds: 1010pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 3.1W, 3.4W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4834BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.7A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIA914DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOFSET DUAL N-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 8V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 400pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1972DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.3A · Емкость @ Vds: 75pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 740mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIA913DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DL 12V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 8V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 400pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |