Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
TT8J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSST | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TT8J21TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSST8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 1270pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120DRG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120DR | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120DG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPS1120D | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCT4203(TE12L,E) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A STP2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 790pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 470mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8303(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 2560pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8302(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8302(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8214(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 3240pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8213(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 48nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 3140pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 350mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8212(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8211(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 1590pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8210(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8210(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8209(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8209(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8208(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2160pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8205(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 760pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
TPCS8205(TE12L) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 760pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCS8204(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.8A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 2160pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8402(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET N/P-CH 30V 4.2/3.4A PS-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 580mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PS-8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8402(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N/P-CH 30V 2-3V1G Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.2A, 3.4A · Емкость @ Vds: 470pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 580mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
TPCP8401(TE85L,F) | Toshiba | MOSFET N/P-CH 20V 2-3V1G Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 12В · Ток @ 25°C: 100mA, 5.5A · Емкость @ Vds: 9.3pF @ 3V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |