 |
TPS1120D — MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
| ||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | TPS1120DG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| TPS1120DR | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| TPS1120DRG4 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 15V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.17A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 840mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца