Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
AON3806 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V 6.8A 8-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.8A · Емкость @ Vds: 615pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AON3810 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AON3816 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 20V 4A 8-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4A · Емкость @ Vds: 1315pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AON5802A | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 6-DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.2A · Емкость @ Vds: 1115pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.7Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AOP605 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.5A, 6.6A · Емкость @ Vds: 820pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 8-DIP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AOP607 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.7A, 3.4A · Емкость @ Vds: 540pF @ 30V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 8-DIP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AOP609 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.7A, 3.5A · Емкость @ Vds: 570pF @ 30V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 8-DIP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AOP610 | Alpha & Omega Semiconductor In | MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.7A, 6.2A · Емкость @ Vds: 630pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.3W · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 8-DIP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM18SCG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD SER/SIC DIO SP6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1036nC @ 10V · Ток @ 25°C: 143A · Емкость @ Vds: 28000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 833W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM24T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V · Ток @ 25°C: 95A · Емкость @ Vds: 14400pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 462W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM35SCTG | Microsemi-PPG | POWER MODULE MOSFET 600V 72A SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM35T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM45T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Ток @ 25°C: 49A · Емкость @ Vds: 7200pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60AM70T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60DDAM35T3G | Microsemi-PPG | MOSFET MOD BOOST CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60DDAM70T3G | Microsemi-PPG | MOSFET MOD BOOST CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60DSKM35T3G | Microsemi-PPG | MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60DSKM70T3G | Microsemi-PPG | MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60HM35T3G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60HM45T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V · Ток @ 25°C: 49A · Емкость @ Vds: 7200pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60HM70SCTG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60HM70T1G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD BULL BRIDGE SP1 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP1 Module | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60HM70T3G | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V · Ток @ 25°C: 39A · Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 250Вт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60TAM35PG | Microsemi-PPG | MOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
APTC60TDUM35PG | Microsemi-PPG | MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V · Напряжение (Vdss): 600В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V · Ток @ 25°C: 72A · Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 416W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |