Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SI1912EDH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.13A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 570mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3850ADV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.4/.96A 6TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.4A, 960mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.08Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7922DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL NCH 100V 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1.8A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8A · Емкость @ Vds: 1945pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6954ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4943BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.5A, 3.3A · Емкость @ Vds: 360pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4952DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 680pF @ 13V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.8W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1026X-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 305mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6925ADQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 20V 3.3A 8TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7216DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 40V PPAK 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.5A · Емкость @ Vds: 670pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4816BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5.8A, 8.2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1W, 1.25W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3590DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.7A 6TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A, 1.7A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIF912EDZ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 2x5 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI7212DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6968BEDQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 20V 5.2A 8TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3585DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2A, 1.5A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIA917DJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.3A · Емкость @ Vds: 250pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI8904EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH BIDIR 30V 2X3 6-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток @ 25°C: 3.8A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MICRO FOOT®CSP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1025X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V · Ток @ 25°C: 190mA · Емкость @ Vds: 23pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3981DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 1.6A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.6A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 800мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1563DH-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.13A, 880mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 570mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIB914DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DL 1.2V PWRPK SC75-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.6nC @ 5V · Ток @ 25°C: 1.5A · Емкость @ Vds: 125pF @ 4V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-75-6L Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | BATTERY SW N-CH 30V 3.4A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3983DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 2.1A 6-TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.1A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |