Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SI1912EDH-T1-E3SI1912EDH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.13A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 570mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3850ADV-T1-E3SI3850ADV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 1.4/.96A 6TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.4A, 960mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.08Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7922DN-T1-E3SI7922DN-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL NCH 100V 1212-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 1.8A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4943CDY-T1-GE3SI4943CDY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 8A  ·  Емкость @ Vds: 1945pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6954ADQ-T1-E3SI6954ADQ-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4943BDY-T1-E3SI4943BDY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6.3A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIA513DJ-T1-GE3SIA513DJ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.5A, 3.3A  ·  Емкость @ Vds: 360pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4952DY-T1-GE3SI4952DY-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 680pF @ 13V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.8W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1026X-T1-GE3SI1026X-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 305mA  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6925ADQ-T1-E3SI6925ADQ-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 20V 3.3A 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.3A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7216DN-T1-GE3SI7216DN-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 40V PPAK 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.5A  ·  Емкость @ Vds: 670pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4816BDY-T1-E3SI4816BDY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5.8A, 8.2A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1W, 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3590DV-T1-E3SI3590DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.7A 6TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.5A, 1.7A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIF912EDZ-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH 30V 2X5 6-POWERPAK
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.4A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® 2x5
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7212DN-T1-E3SI7212DN-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30V 1212-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6968BEDQ-T1-E3SI6968BEDQ-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.2A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3585DV-T1-E3SI3585DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2A, 1.5A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIA917DJ-T1-GE3SIA917DJ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.3A  ·  Емкость @ Vds: 250pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI8904EDB-T2-E1SI8904EDB-T2-E1Vishay/SiliconixMOSFET N-CH BIDIR 30V 2X3 6-MFP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Ток @ 25°C: 3.8A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MICRO FOOT®CSP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1025X-T1-E3SI1025X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.7nC @ 15V  ·  Ток @ 25°C: 190mA  ·  Емкость @ Vds: 23pF @ 25V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3981DV-T1-E3SI3981DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 1.6A 6-TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.6A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 800мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1563DH-T1-E3SI1563DH-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.13A, 880mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 570mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIB914DK-T1-GE3SIB914DK-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DL 1.2V PWRPK SC75-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.6nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 1.5A  ·  Емкость @ Vds: 125pF @ 4V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SC-75-6L Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6954ADQ-T1-GE3SI6954ADQ-T1-GE3Vishay/SiliconixBATTERY SW N-CH 30V 3.4A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3983DV-T1-E3SI3983DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 2.1A 6-TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.1A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте