Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SI6954ADQ-T1-GE3SI6954ADQ-T1-GE3Vishay/SiliconixBATTERY SW N-CH 30V 3.4A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF5851IRF5851International RectifierDIODE MOSFET DUAL 20V 2.7A 6TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.7A, 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 400pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF5850IRF5850International RectifierDIODE MOSFET PCH-20V -2.2A 6TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.2A  ·  Емкость @ Vds: 320pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF5810IRF5810International RectifierDIODE MOSFET PCH-20V -2.9A 6TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7106IRF7106International RectifierHEX/MOS N/P-CH DL 20/-20V 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3A, 2.5A  ·  Емкость @ Vds: 300pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7389TRPBFIRF7389TRPBFInternational RectifierHEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 7.3A, 5.3A  ·  Емкость @ Vds: 650pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF9952TRPBFIRF9952TRPBFInternational RectifierHEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7379TRPBFIRF7379TRPBFInternational RectifierHEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.8A, 4.3A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 25V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF8910TRPBFIRF8910TRPBFInternational RectifierHEX/MOS N-CH DUAL 20V 10A 8SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 10A  ·  Емкость @ Vds: 960pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF9956TRPBFIRF9956TRPBFInternational RectifierHEX/MOS N-CH DUAL 30V 3.5V 8SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 190pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7102IRF7102International RectifierHEX/MOS N-CH LOG 50V 2A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2A  ·  Емкость @ Vds: 120pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
19MT050XFVishay/SemiconductorsHEX/MOS N-CHAN 500V 31A MTP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 500В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 31A  ·  Емкость @ Vds: 7210pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1140W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: 16-MTP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7325TRPBFIRF7325TRPBFInternational RectifierHEX/MOS P-CH DUAL 12V 7.8A 8SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 12В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.8A  ·  Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7104TRPBFIRF7104TRPBFInternational RectifierHEX/MOS P-CHAN DL 20V 2.3A 8SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.3A  ·  Емкость @ Vds: 290pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRF7757TRIRF7757TRInternational RectifierHEXFET TSSOP-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.8A  ·  Емкость @ Vds: 1340pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDG6322CFDG6322CFairchild SemiconductorIC FET DGTL N/P-CHAN DUAL SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 220mA, 410mA  ·  Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6301NFDC6301NFairchild SemiconductorIC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 220mA  ·  Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDC6303NFDC6303NFairchild SemiconductorIC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 680mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDG6303NFDG6303NFairchild SemiconductorIC FET DGTL N-CHAN DUAL SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 500mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDG6304PFDG6304PFairchild SemiconductorIC FET DGTL P-CHAN DUAL SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 410mA  ·  Емкость @ Vds: 62pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM220-004P3-SMDIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 180A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM120-0075X1-SMDIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 75V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 110A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM220-004P3-SMD SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 180A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM100-0085X1-SMD SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Напряжение (Vdss): 85V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM100-01X1-SMD SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A. 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 90A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте