|
- Габаритный чертеж |
SI3983DV-T1-E3 — MOSFET P-CH DUAL 20V 2.1A 6-TSOP
Производитель | Vishay/Siliconix |
Вредные вещества | RoHS Без свинца |
| Серия | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Напряжение (Vdss) | 20В |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Ток @ 25°C | 2.1A |
Полярность | 2 P-Channel (Dual) |
Особенности | Logic Level Gate |
Мощность макcимальная | 830mW |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Корпус | 6-TSOP |
Встречается под наим. | SI3983DV-T1-E3DKR |
|
|