Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
2N5460_D75Z | Fairchild Semiconductor | IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J113_D74Z | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJZ594JBTF | Fairchild Semiconductor | IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-623F · Мощность макcимальная: 100mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
J176_D74Z | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH P-CHAN 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Сопротивление - RDS (On): 250 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J177_D26Z | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH P-CHAN 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA · Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMBF5460 | Fairchild Semiconductor | IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FJZ594JCTF | Fairchild Semiconductor | JFET N-CH SI 20V 100MW SOT623F Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-623F · Мощность макcимальная: 100mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PF53012 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.7V @ 1nA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMBF4093 | Fairchild Semiconductor | JFET SWITCH N-CHAN SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 80 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBF4392,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 25MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J174,126 | NXP Semiconductors | JFET P-CHAN 30V SOT-54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 85 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 400мВт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ175,215 | NXP Semiconductors | MOSFET P-CH 30V 30MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 125 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR58,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 8MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR57,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CH 40V 20MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBF4393,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 5MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ108,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ113,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 2MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J177,126 | NXP Semiconductors | JFET P-CHAN 30V SOT-54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 400мВт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR30,215 | NXP Semiconductors | FET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 4pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ309,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 25V 30MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFT46,215 | NXP Semiconductors | FET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.2V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ620,115 | NXP Semiconductors | JFET N-CHAN DUAL 25V SOT363 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 · Мощность макcимальная: 190mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J176,126 | NXP Semiconductors | JFET P-CHAN 30V SOT-54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 250 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 400мВт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J112,126 | NXP Semiconductors | JFET N-CH 40V 20MA SOT54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 400мВт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ111,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 20MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |