Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  •  Напряжение (Vdss): 40В  •  Полярность: N-Channel  •  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  •  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  •  Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)  •  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  •  Мощность макcимальная: 400мВт  •  Встречается под наим.: J112 AMO, J112 AMO-ND