MOSFET транзисторы с p-n-переходом | Дискретные полупроводники

Fairchild Semiconductor
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic - SSG
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

4nA @ 15V
1.4µA @ 10V
30µA @ 10V
50µA @ 10V
80µA @ 10V
100µA @ 5V
107µA @ 2V
150µA @ 5V
200µA @ 10V
200µA @ 20V
210µA @ 2V
210µA @ 5V
300µA @ 10V
500µA @ 10V
500µA @ 15V
600µA @ 10V
900µA @ 20V
1mA @ 10V
1mA @ 15V
1.4mA @ 10V
1.5mA @ 15V
2mA @ 15V
4mA @ 10V
4mA @ 15V
4mA @ 20V
5mA @ 15V
5mA @ 20V
6mA @ 10V
6mA @ 15V
7mA @ 15V
8mA @ 15V
8mA @ 20V
10mA @ 15V
10mA @ 20V
12mA @ 10V
15mA @ 20V
20mA @ 15V
24mA @ 10V
25mA @ 15V
25mA @ 20V
30mA @ 15V
30mA @ 20V
40mA @ 15V
50mA @ 15V
50mA @ 20V
60mA @ 15V
80mA @ 15V
100mA @ 15V
150mA @ 15V
200mA @ 15V
500mA @ 15V

20В
25V
30В
40В
55V

1mA
2mA
10mA
20mA
30mA

N-Channel
P-Channel
2 N-Channel (Dual)

20В
25V
30В
35V
40В

100mV @ 10µA
300mV @ 10nA
400mV @ 100nA
500mV @ 1µA
500mV @ 10nA
500mV @ 1nA
600mV @ 1µA
600mV @ 100nA
600mV @ 10nA
600mV @ 1nA
700mV @ 1nA
750mV @ 1µA
800mV @ 0.5nA
800mV @ 1µA
800mV @ 10nA
800mV @ 4nA
1V @ 1µA
1V @ 10nA
1V @ 1nA
1V @ 3nA
1.2V @ 0.5nA
1.2V @ 1nA
1.3V @ 1µA
1.5V @ 10µA
1.5V @ 1nA
1.7V @ 1nA
1.8V @ 1µA
2V @ 0.5nA
2V @ 1µA
2V @ 10nA
2V @ 1nA
2V @ 4nA
2.5V @ 0.5nA
2.5V @ 1nA
3V @ 1µA
3V @ 10nA
3.5V @ 1µA
4V @ 0.5nA
4V @ 1µA
4V @ 10nA
4V @ 1nA
4V @ 3nA
4.5V @ 1µA
5V @ 0.5nA
5V @ 1µA
5V @ 10µA
5V @ 10nA
5V @ 1nA
6V @ 1µA
6V @ 1nA
8V @ 10µA
10V @ 1µA

1pF @ 10V
3pF @ 10V
3.1pF @ 2V
3.5pF @ 5V
4pF @ 10V
5pF @ 10V
5pF @ 10V (VGS)
5pF @ 15V
6pF @ 10V (VGS)
6.5pF @ 10V
7pF @ 10V
7pF @ 15V
8pF @ 10V (VGS)
8.2pF @ 0V
9pF @ 10V
10pF @ 10V
10pF @ 12V (VGS)
10pF @ 15V (VGS)
11pF @ 10V (VGS)
12pF @ 10V
14pF @ 10V
14pF @ 15V
14pF @ 20V
16pF @ 15V
16pF @ 20V
18pF @ 10V
18pF @ 10V (VGS)
30pF @ 10V (VGS)
32pF @ 10V
45pF @ 15V

3 Ohm
5 Ohm
6 Ohm
8 Ohm
10 Ohm
12 Ohm
18 Ohm
25 Ohm
30 Ohm
40 Ohm
50 Ohm
60 Ohm
75 Ohm
80 Ohm
85 Ohm
100 Ohm
125 Ohm
150 Ohm
250 Ohm
300 Ohm

Поверхностный монтаж
Through Hole

Mini 3P
NS-B1
S-Mini 3P
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-623F
SS Mini 2P
SS Mini 3P
SSS Mini 3P
TO-92-3 (Short Body)
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
3-SSOT, SuperSOT-3

100mW
125mW
150mW
190mW
200mW
225mW
250mW
300mW
310mW
350mW
400мВт
625mW
1Вт

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 250 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 12 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 125 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 400мВт

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 25 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 12 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 400мВт

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 85 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 4pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 18 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 400мВт

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 10nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V (VGS) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	PMBFJ176,215	NXP Semiconductors	JFET P-CHAN 30V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 250 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PMBFJ109,215	NXP Semiconductors	JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 12 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	J175,116	NXP Semiconductors	JFET P-CHAN 30V SOT-54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 125 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 400мВт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BSR56,215	NXP Semiconductors	JFET N-CH 40V 50MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 25 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PMBFJ308,215	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH 25V 50MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PMBFJ177,215	NXP Semiconductors	JFET P-CHAN 30V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PMBFJ310,215	NXP Semiconductors	JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	J109,126	NXP Semiconductors	JFET N-CH 25V 80MA SOT54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 12 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 400мВт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PMBFJ112,215	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH 40V 5MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PMBFJ174,215	NXP Semiconductors	JFET P-CHAN 30V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 85 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 300mW	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR31,215	NXP Semiconductors	FET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 4pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PMBFJ110,215	NXP Semiconductors	JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 18 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	PMBF4391,215	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH 40V 50MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	J113,126	NXP Semiconductors	JFET N-CH 40V 2MA SOT54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 400мВт	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MMBF4391LT1	ON Semiconductor	JFET SS N-CHAN 30V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 10nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MMBFU310LT1G	ON Semiconductor	JFET SS N-CH 25V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V (VGS) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N5462G	ON Semiconductor	IC AMP JFET SS P-CH 40V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N5638RLRAG	ON Semiconductor	TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MMBF5484LT1G	ON Semiconductor	JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N5639	ON Semiconductor	TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N5458G	ON Semiconductor	IC JFET N-CH GP SS 25V TO92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MMBF5460LT1G	ON Semiconductor	TRANS JFET SW P-CHAN 40V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MMBF4391LT1G	ON Semiconductor	TRANS JFET SW N-CH 30V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 10nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N5461	ON Semiconductor	IC JFET P-CH SS 40V TO92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	J111RLRPG	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы с p-n-переходом