Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V  •  Напряжение (Vdss): 30В  •  Полярность: P-Channel  •  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  •  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  •  Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)  •  Сопротивление - RDS (On): 125 Ohm  •  Тип монтажа: Through Hole  •  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  •  Мощность макcимальная: 400мВт  •  Встречается под наим.: J175 T/R, J175 T/R-ND