Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BFR30LT1G | ON Semiconductor | TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MPF4392 | ON Semiconductor | AMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA · Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5457G | ON Semiconductor | IC JFET N-CH GP SS 25V TO92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR30LT1 | ON Semiconductor | TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5461RLRA | ON Semiconductor | IC AMP JFET SS P-CH 40V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MPF4393 | ON Semiconductor | AMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MPF4393RLRPG | ON Semiconductor | AMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMBF5460LT1 | ON Semiconductor | JFET P-CHAN 40V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5462 | ON Semiconductor | IC AMP JFET SS P-CH 40V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR31LT1G | ON Semiconductor | TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5638RLRA | ON Semiconductor | TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
J110 | ON Semiconductor | TRANS GP JFET N-CH 25V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 18 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
BFR31LT1 | ON Semiconductor | TRANS JFET N-CH 25V 225MW SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBF4393LT3G | ON Semiconductor | TRANS JFET SW N-CHAN 30V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J111RLRAG | ON Semiconductor | TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
J112G | ON Semiconductor | TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MPF4393G | ON Semiconductor | AMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
J112RLRA | ON Semiconductor | TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBF5457LT1 | ON Semiconductor | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5461G | ON Semiconductor | IC JFET P-CH SS 40V TO92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2SK3372GTL | Panasonic - SSG | JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток нагрузки (макс): 2mA · Полярность: N-Channel · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SSS Mini 3P · Мощность макcимальная: 100mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SK23800QL | Panasonic - SSG | JFET LOW FREQ.IMPEDANCE CONVRT Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.3V @ 1µA · Емкость @ Vds: 1pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P · Мощность макcимальная: 125mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2SK06630RL | Panasonic - SSG | JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Ток нагрузки (макс): 30mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10µA · Емкость @ Vds: 6.5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P · Мощность макcимальная: 150mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SJ01640RA | Panasonic - SSG | JFET P-CH 65V 20MA NS-B1 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V · Ток нагрузки (макс): 20mA · Полярность: P-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 10µA · Емкость @ Vds: 10pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: NS-B1 · Мощность макcимальная: 300mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SK25930QL | Panasonic - SSG | JFET LOW FREQ.AMP SWITHING Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Ток нагрузки (макс): 30mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10µA · Емкость @ Vds: 6.5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P · Мощность макcимальная: 125mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |