Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IRG4BC30W-STRR | Vishay/Semiconductors | IGBT WARP 600V 23A RIGHT D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 23A · Мощность макcимальная: 100Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GA200SA60S | Vishay/Semiconductors | IGBT STD 600V 100A SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 630W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
GA600GD25S | Vishay/Semiconductors | IGBT FAST 250V 600A INT-A-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 600A · Мощность макcимальная: 1920W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: INT-A-PAK (3 + 4) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
50MT060ULS | Vishay/Semiconductors | IGBT UFAST 600V 100A MTP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 100A · Мощность макcимальная: 445W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 10-MTP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
GA600HD25S | Vishay/Semiconductors | IGBT FAST 250V 600A INT-A-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 600A · Ток коллектора (макс): 600A · Мощность макcимальная: 1920W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Dual INT-A-PAK (3 + 8) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
GA200SA60U | Vishay/Semiconductors | IGBT UFAST 600V 100A SOT227 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 500W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SOT-227 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
GA150KS61U | Vishay/Semiconductors | IGBT FAST 600V 150A INT-A-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 150A · Мощность макcимальная: 440W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: INT-A-PAK (3 + 4) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
GA200NS61U | Vishay/Semiconductors | IGBT FAST 1200V 200A INT-A-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A · Ток коллектора (макс): 200A · Мощность макcимальная: 625W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: INT-A-PAK (3 + 8) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IRG4BC40WLPBF | Vishay/Semiconductors | IGBT W/DIODE 600V 40A TO262 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 40A · Мощность макcимальная: 160W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT10J312(Q) | Toshiba | IGBT 600V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 2-10S1C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT5G131(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 400V 5A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 3V, 130A · Ток коллектора (макс): 5A · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT60N321(Q) | Toshiba | IGBT 1000V 60A TO-3P LH Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 170Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT8G134(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 400V 150A 8-TSSOP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 2.5V, 150A · Мощность макcимальная: 600mW · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT10Q101(Q) | Toshiba | IGBT 1200V 10A TO-3PN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 140Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT8G133(TE12L,Q) | Toshiba | IGBT 400V 150A 8-TSSOP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A · Мощность макcимальная: 600mW · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT60N322(Q) | Toshiba | IGBT 1000V 57A TO-3P LH Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 57A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT20J321(Q) | Toshiba | IGBT DUAL 600V 20A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Мощность макcимальная: 45Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT15J301(Q) | Toshiba | IGBT DUAL 600V 10A TO-3PN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 35Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT10Q301(Q) | Toshiba | IGBT DUAL 1200V 10A TO-3PN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 140Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT50J121(Q) | Toshiba | IGBT 600V 50A TO-3P LH Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 50A · Мощность макcимальная: 240Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT10J303(Q) | Toshiba | IGBT 600V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 10A · Мощность макcимальная: 30Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT80J101B(Q) | Toshiba | IGBT 600V 80A TO-3P LH Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 80A · Ток коллектора (макс): 80A · Мощность макcимальная: 3.5W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT15Q102(Q) | Toshiba | IGBT 1200V 15A TO-3PN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 170Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT15J311(SM,Q) | Toshiba | IGBT 600V 15A TO-220SM Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A · Ток коллектора (макс): 15A · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
GT60M323(Q) | Toshiba | IGBT 900V DUAL 60A TO-3P LH Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A · Ток коллектора (макс): 60A · Мощность макcимальная: 200Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |