Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

Производитель











Серия











Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)
































Vce(on) (Max) @ Vge, Ic






















































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)











































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































































































































Тип входа


Тип монтажа


Корпус





































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
IRG4BC30W-STRRIRG4BC30W-STRRVishay/SemiconductorsIGBT WARP 600V 23A RIGHT D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A  ·  Ток коллектора (макс): 23A  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GA200SA60SGA200SA60SVishay/SemiconductorsIGBT STD 600V 100A SOT227
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A  ·  Ток коллектора (макс): 200A  ·  Мощность макcимальная: 630W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SOT-227
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GA600GD25SVishay/SemiconductorsIGBT FAST 250V 600A INT-A-PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 600A  ·  Ток коллектора (макс): 600A  ·  Мощность макcимальная: 1920W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: INT-A-PAK (3 + 4)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
50MT060ULSVishay/SemiconductorsIGBT UFAST 600V 100A MTP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A  ·  Ток коллектора (макс): 100A  ·  Мощность макcимальная: 445W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: 10-MTP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GA600HD25SVishay/SemiconductorsIGBT FAST 250V 600A INT-A-PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 600A  ·  Ток коллектора (макс): 600A  ·  Мощность макcимальная: 1920W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Dual INT-A-PAK (3 + 8)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GA200SA60UGA200SA60UVishay/SemiconductorsIGBT UFAST 600V 100A SOT227
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A  ·  Ток коллектора (макс): 200A  ·  Мощность макcимальная: 500W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SOT-227
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GA150KS61UVishay/SemiconductorsIGBT FAST 600V 150A INT-A-PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A  ·  Ток коллектора (макс): 150A  ·  Мощность макcимальная: 440W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: INT-A-PAK (3 + 4)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GA200NS61UVishay/SemiconductorsIGBT FAST 1200V 200A INT-A-PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A  ·  Ток коллектора (макс): 200A  ·  Мощность макcимальная: 625W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: INT-A-PAK (3 + 8)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
IRG4BC40WLPBFIRG4BC40WLPBFVishay/SemiconductorsIGBT W/DIODE 600V 40A TO262
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 40A  ·  Мощность макcимальная: 160W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT10J312(Q)ToshibaIGBT 600V 10A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10S1C
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT5G131(TE12L,Q)ToshibaIGBT 400V 5A 8-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 3V, 130A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT60N321(Q)ToshibaIGBT 1000V 60A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Мощность макcимальная: 170Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT8G134(TE12L,Q)ToshibaIGBT 400V 150A 8-TSSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 2.5V, 150A  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT10Q101(Q)ToshibaIGBT 1200V 10A TO-3PN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 140Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT8G133(TE12L,Q)ToshibaIGBT 400V 150A 8-TSSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT60N322(Q)ToshibaIGBT 1000V 57A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A  ·  Ток коллектора (макс): 57A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT20J321(Q)ToshibaIGBT DUAL 600V 20A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Мощность макcимальная: 45Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT15J301(Q)ToshibaIGBT DUAL 600V 10A TO-3PN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Мощность макcимальная: 35Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT10Q301(Q)ToshibaIGBT DUAL 1200V 10A TO-3PN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 140Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT50J121(Q)ToshibaIGBT 600V 50A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Мощность макcимальная: 240Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT10J303(Q)ToshibaIGBT 600V 10A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT80J101B(Q)ToshibaIGBT 600V 80A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 80A  ·  Ток коллектора (макс): 80A  ·  Мощность макcимальная: 3.5W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT15Q102(Q)ToshibaIGBT 1200V 15A TO-3PN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Мощность макcимальная: 170Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT15J311(SM,Q)ToshibaIGBT 600V 15A TO-220SM
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GT60M323(Q)ToshibaIGBT 900V DUAL 60A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 77  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте