Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

GA200NS61U — IGBT FAST 1200V 200A INT-A-PAK

Производитель	Vishay/Semiconductors
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 200A
Ток коллектора (макс)	200A
Мощность макcимальная	625W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	INT-A-PAK (3 + 8)
Встречается под наим.	*GA200NS61U, VS-GA200NS61U, VS-GA200NS61U-ND, VSGA200NS61U, VSGA200NS61U-ND