Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

GT15Q102(Q) — IGBT 1200V 15A TO-3PN

Производитель	Toshiba
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 15A
Ток коллектора (макс)	15A
Мощность макcимальная	170Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole