Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BZX79-C8V2,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 8.2V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 8.2V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 700nA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5229B_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 4.3V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.3V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 22 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5244B_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 14V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 14V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 10V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C68,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 68V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 68V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 47.6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 240 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C51,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 51V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 51V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 35.7V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 180 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N757ATR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 9.1V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C4V7,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 4.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C16,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 16V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 16V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 11.2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5252BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 24V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 24V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 18V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 33 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C36,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 36V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 36V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 25.2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C5V6,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 5.6V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 5.6V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 1µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 40 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5223B_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 2.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 2.7V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 75µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C39,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 39V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 39V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 27.3V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 130 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C24,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 24V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 24V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 16.8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 70 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5250B_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 20V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 15V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5241BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 11V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 11В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 8.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 22 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N746ATR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.3V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 28 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N748ATR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.9V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 23 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C47,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 47V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 47V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 32.9V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 170 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5249BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 19V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 19V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 14V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 23 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C7V5,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 7.5V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 7.5V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 1µA @ 5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5256BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 30V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 30В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 23V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 49 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5230B_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 4.7V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 19 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5240B_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 10V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 8V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 17 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C10,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 10V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 10V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 200nA @ 7V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 20 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |