Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BZX79-C75,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 75V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 75V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 52.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 255 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C3V3,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 3.3V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.3V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C33,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 33V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 33V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 23.1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 80 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5257BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 33V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 33V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 25V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 58 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C9V1,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 9.1V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 9.1V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 500nA @ 6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C56,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 56V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 56V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 39.2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 200 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5227BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.6V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 15µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 24 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C2V4,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 2.4V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 2.4V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C5V1,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 5.1V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C6V8,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 6.8V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 6.8V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 2µA @ 4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C18,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 18V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 18В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 12.6V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 45 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5247BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 17V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 17В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 13V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 19 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5250BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 20V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 15V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 25 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C3V9,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 3.9V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.9V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 3µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 90 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C43,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 43V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 43V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 30.1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C22,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 22V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 22V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 15.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5231CTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 5.1V · Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA · Обратный ток утечки: 5µA @ 2V · Допустимые отклонения емкости: ±2% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 17 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5263B_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 56V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 56V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 43V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C15,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 15V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 15V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 10.5V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N5244BTR | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 14V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 14V · Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA · Обратный ток утечки: 100nA @ 10V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 15 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C62,133 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 62V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 62V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 43.4V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 215 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C3V0,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 3.0V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 95 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C2V7,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 2.7V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 2.7V · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 20µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BZX79-C20,143 | NXP Semiconductors | DIODE VREG 20V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 20В · Прямое напряжение: 900mV @ 10mA · Обратный ток утечки: 50nA @ 14V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 400мВт · Полное сопротивление (импеданс): 55 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
1N747A_T50R | Fairchild Semiconductor | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO-35 Напряжение Зенера номинальное: 3.6V · Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA · Обратный ток утечки: 10µA @ 1V · Допустимые отклонения емкости: ±5% · Мощность макcимальная: 500мВт · Полное сопротивление (импеданс): 24 Ohm · Тип монтажа: Through Hole, Axial · Корпус: DO-35, DO-204AH, Axial · Operating Temperature: -65°C ~ 200°C | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |