Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SMBT 3906 E6767Infineon TechnologiesTRANSISTOR PNP SW SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCP54TABCP54TADiodes/ZetexTRANS NPN BIPOL 45V 1A SOT-223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD09580SPanasonic - SSGTRANS NPN 120VCEO 20MA M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 20mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCV29TADiodes/ZetexTRANSISTOR DARL NPN 30V SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MJ11021MJ11021ON SemiconductorTRANS DARL PNP 15A 250V TO-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 175W  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: PNP - Darlington  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: TO-204, TO-3
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBSS4350S,126PBSS4350S,126NXP SemiconductorsTRANS NPN 50V 3A LOW SAT TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SC22060CPanasonic - SSGTRANS NPN 20VCEO 30MA M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC639RL1BC639RL1ON SemiconductorTRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA11240R2SA11240RPanasonic - SSGTRANS PNP 150VCEO 50MA TO-92L
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92L
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSA42,412MPSA42,412NXP SemiconductorsTRANS NPN 300V 500MA SOT54
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SA17910RLPanasonic - SSGTRANS PNP 50VCEO 50MA SS-MINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SS Mini3-G1 (SC 75)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX557ZTX557Diodes/ZetexTRANS PNP HV 300V 500MA TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC238BUBC238BUFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 25V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
D45VH10D45VH10ON SemiconductorTRANS PNP 15A 80V TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Модуляция частот: 40MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC32816TABC32816TAFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 25V 800MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP29BTIP29BON SemiconductorTRANS NPN 1A 80V HI PWR TO220AB
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZTX557STZZTX557STZDiodes/ZetexTRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
KSC2982ATFKSC2982ATFFairchild SemiconductorTRANSISTOR NPN 10V 2A SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N54012N5401ON SemiconductorTRANS SS PNP 150V 600MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SD06380RPanasonic - SSGTRANS NPN 25VCEO .5A M TYPE
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: M-Type
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2SB121900LPanasonic - SSGTRANS PNP GP AMP 25VCEO SMINI 3P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: S-Mini 3P
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2N3906,1162N3906,116NXP SemiconductorsTRANS PNP SW HS 200MA 40V TO92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC557AZL1BC557AZL1ON SemiconductorTRANS AMP PNP 45V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 320MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSW45AZL1MPSW45AZL1ON SemiconductorTRANS NPN DARL BIPO 1W 50V TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: NPN - Darlington  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Long Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
MPSA92_D27ZMPSA92_D27ZFairchild SemiconductorTRANS PNP 300V 500MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Модуляция частот: 50MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 352353354355356357358359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте