Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ST57711ST57711Fairchild SemiconductorTRANSISTOR SWITCHING PNP TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PN4250PN4250Fairchild SemiconductorTRANSISTOR SWITCHING PNP TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 625mW  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BD711BD711STMicroelectronicsTRANSISTOR TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A  ·  Ток коллектора (макс): 12A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 75Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTS1000E6TCZXTS1000E6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR/SCHOTTKY PNP SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 725mW  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCP 69US E6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS GEN PURP AF TSOP6-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP41ATIP41AFairchild SemiconductorTRANSISTORS NPN 60V 6A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 400µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 3MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
TIP41ATIP41ASTMicroelectronicsTRANSISTORS NPN 60V 6A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600µA, 6A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V  ·  Мощность макcимальная: 65Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 818K-40 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 25V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 818K-25 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 25V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817K-16 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCW 66KH B6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817K-40 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCW 66KF E6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817K-25 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817K-40 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCW 66KH E6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCW 66KG E6433Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCW 66KG E6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 800mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817K-16 E6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817K-40W E6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 847BW E6433Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817K-25W E6327Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BC 817K-25W E6433Infineon TechnologiesTRANSISTORS NPN AF 45V SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-323
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCX 52-16 E6433Infineon TechnologiesTRANSISTORS PNP AF 60V SOT-89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 125MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZX3CD2S1M832TAZX3CD2S1M832TADiodes/ZetexTX PNP & SCHOTTKY DIODE 8MLP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 20mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3.5A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-MLP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 352353354355356357358359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте