Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased) | Дискретные полупроводники

Diodes Inc
Fairchild Semiconductor
Infineon Technologies
Micro Coммercial Co
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic - SSG
Rohm Semiconductor

12В
15V
20В
30В
40В
50V
60V

220
270
470
510
1K
2.2K
2.7K
3.3K
4.7K
6.8K
10K
22K
47K
100K
200K

100
105
470
480
489
1K
1.1K
2.1K
2.2K
4.7K
5K
5.1K
6.8K
9.8K
9.9K
10K
10.5K
12.5K
21K
22K
47K
100K

3 @ 5mA, 10V
6 @ 5mA, 10V
6 @ 6mA, 10V
8 @ 5mA, 10V
15 @ 5mA, 10V
20 @ 10mA, 5V
20 @ 20mA, 5V
20 @ 50mA, 5V
20 @ 5mA, 10V
20 @ 5mA, 5V
22 @ 10mA, 5V
24 @ 10mA, 5V
30 @ 10mA, 5V
30 @ 20mA, 5V
30 @ 40mA, 5V
30 @ 5mA, 10V
30 @ 5mA, 5V
33 @ 10mA, 5V
33 @ 50mA, 5V
33 @ 5mA, 5V
35 @ 5mA, 10V
35 @ 5mA, 5V
39 @ 50mA, 5V
40 @ 100mA, 10V
40 @ 50mA, 5V
40 @ 5mA, 10V
40 @ 5mA, 5V
47 @ 50mA, 5V
50 @ 100mA, 10V
50 @ 10mA, 5V
50 @ 50mA, 5V
50 @ 5mA, 10V
50 @ 5mA, 5V
56 @ 10mA, 5V
56 @ 50mA, 5V
56 @ 5mA, 5V
60 @ 100mA, 10V
60 @ 50mA, 5V
60 @ 5mA, 10V
60 @ 5mA, 5V
68 @ 10mA, 5V
68 @ 5mA, 5V
70 @ 2mA, 5V
70 @ 50mA, 5V
70 @ 5mA, 5V
71 @ 5mA, 5V
80 @ 10mA, 5V
80 @ 5mA, 10V
80 @ 5mA, 5V
82 @ 50mA, 5V
82 @ 5mA, 5V
100 @ 100mA, 10V
100 @ 10mA, 5V
100 @ 1mA, 1V
100 @ 1mA, 5V
100 @ 50mA, 5V
100 @ 5mA, 5V
120 @ 50mA, 5V
120 @ 5mA, 10V
120 @ 5mA, 5V
125 @ 5mA, 5V
125 @ 800mA, 1V
140 @ 100mA, 2V
150 @ 10mA, 5V
160 @ 10mA, 5V
160 @ 5mA, 10V
180 @ 300mA, 5V
200 @ 1mA, 5V
230 @ 300mA, 5V
280 @ 300mA, 5V
300 @ 500mA, 2V
500 @ 300mA, 5V
800 @ 150mA, 10V
820 @ 50mA, 5V

80mV @ 2.5mA, 50mA
100mV @ 250µA, 5mA
100mV @ 500µA, 10mA
150mV @ 1.5mA, 30mA
150mV @ 1mA, 10mA
150mV @ 2.5mA, 50mA
150mV @ 250µA, 5mA
150mV @ 500µA, 10mA
160mV @ 10mA, 500mA
200mV @ 10mA, 500mA
200mV @ 5mA, 50mA
210mV @ 20mA, 800mA
220mV @ 10mA, 500mA
250mV @ 1.5mA, 10mA
250mV @ 1mA, 10mA
250mV @ 2.5mA, 50mA
250mV @ 300µA, 10mA
250mV @ 500µA, 10mA
250mV @ 5mA, 100mA
250mV @ 5mA, 10mA
300mV @ 100µA, 1mA
300mV @ 10mA, 500mA
300mV @ 1mA, 10mA
300mV @ 1mA, 20mA
300mV @ 2.5mA, 50mA
300mV @ 2.5mA, 5mA
300mV @ 250µA, 2.5mA
300mV @ 250µA, 5mA
300mV @ 50µA, 500µA
300mV @ 500µA, 10mA
300mV @ 500µA, 5mA
300mV @ 500nA, 10mA
300mV @ 500nA, 5mA
300mV @ 5mA, 100mA
400mV @ 5mA, 500mA
1.2V @ 330µA, 50mA

20mA
30mA
50mA
70mA
80mA
100mA
200mA
500mA
600mA
700mA
800mA
1A
1.5A
3A

100nA
500nA
1µA
10µA
500µA

55MHz
80MHz
100MHz
110MHz
120MHz
130MHz
140MHz
150MHz
160MHz
170MHz
190MHz
200MHz
250MHz
260MHz

50mW
100mW
125mW
150mW
200mW
230mW
250mW
254mW
260mW
300mW
310mW
330mW
338mW
400мВт
500мВт
570mW
600mW
700мВт
1Вт
1.5Вт
2.7W
3Вт

NPN - Pre-Biased
NPN Pre-Biased + Diode
PNP
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased + Diode

Поверхностный монтаж
Through Hole

EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
Leadless
M-Type
Mini 3P
Mini-Power
ML4-N1
New S Type
NS-B1
S-Mini 3P
S-Mini 4P
S-Mini 6P
SC-101, SOT-883
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-72-3, SPT
SC-74-6
SC-75
SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
SC-89
SC-89-3
SOT-1123
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-323
SOT-523
SOT-523F
SOT-723
SS Mini 3P
SS Mini 5P
SS Mini-6 (SOT-666)
SSS Mini 3P
TO-92-3 (Short Body)
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TSFP-3
TSLP-3-4
VMT3
3-DFN
1006 leadless

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 510 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 5.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	UNR91AEG0L	Panasonic - SSG	TRANS PNP W/RES 60HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR91ALG0L	Panasonic - SSG	TRANS PNP W/RES 20HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR91AMG0L	Panasonic - SSG	TRANS PNP W/RES 80HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR91ANG0L	Panasonic - SSG	TRANS PNP W/RES 80HFE SS-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9210G0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9210J0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9211G0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 35 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9211J0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 35 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9212G0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 60HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9212J0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 60 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9213G0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 80 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9213J0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 80 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9214G0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 80 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9214J0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 80 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9215G0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9215J0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9216G0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9216J0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9217G0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9217J0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9218G0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 20HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 510 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 5.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9218J0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 20 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 510 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 5.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9219G0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 30 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR9219J0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 30 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	UNR921AG0L	Panasonic - SSG	TRANS NPN W/RES 80HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)