Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
UNR52AMG0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 80HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR52ANG0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 80HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR52AVG0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 6HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1.5mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 80mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR723100L | Panasonic - SSG | TRANS NPN W/RES 800 HFE MINI PWR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 150mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 700mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Модуляция частот: 55MHz · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini-Power | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9110G0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9110J0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9111G0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 35 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9111J0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 35 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9112G0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 60HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9112J0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 60 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9113G0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 80HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9113J0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 80 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9114G0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 80 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9114J0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 80 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9115G0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9115J0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9116G0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9116J0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9117G0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9117J0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9118G0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 20HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 510 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 5.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9118J0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 20 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 510 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 5.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9119G0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 30HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR9119J0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 30 HFE SSMINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
UNR911AG0L | Panasonic - SSG | TRANS PNP W/RES 80HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: PNP - Pre-Biased · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |