Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 338mW  ·  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini