Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные, Pre-Biased)
 
FJN4312RBU

FJN4312RBU — TRANSISTOR PNP 40V 100MA TO-92

ПроизводительFairchild Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Обратите вниманиеFe Wire Change 12 окт 2007
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)40В
Сопротивление базы (Ом)47K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Модуляция частот200MHz
Мощность макcимальная300mW
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-92-3 (Standard Body), TO-226
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
FJN4312RTAFJN4312RTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
FJN4309RBUFJN4309RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
FJN4311RTAFJN4311RTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
FJN4309RTAFJN4309RTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
FJN4310RBUFJN4310RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
FJNS4212RTAFJNS4212RTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
FJNS4212RBUFJNS4212RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 100MA TO-92S
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
FJN4310RTAFJN4310RTAFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
FJN4311RBUFJN4311RBUFairchild SemiconductorTRANSISTOR PNP 40V 100MA TO-92
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: PNP - Pre-Biased  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «FJN4312RBU» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте