Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
LBN150B01-7 | Diodes Inc | TRANS COMPL PAIR 150MA SOT-26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V, 40V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC846AS-7 | Diodes Inc | TRANS NPN DUAL 100MA 65V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT4401-7 | Diodes Inc | TRANSISTOR DUAL NPN 40V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC847CDLP-7 | Diodes Inc | TRANS NPN DL 100MA 45V 6-DFN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 15nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 350mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-DFN | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT3906VC-7 | Diodes Inc | TRANS PNP DUAL BIPOLAR SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMMT5401-7 | Diodes Inc | TRANS MATCHED PNP 300MW SOT26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
DMMT5551-7 | Diodes Inc | TRANS MATCHED NPN 300MW SOT26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT3906-7 | Diodes Inc | TRANS DUAL PNP 40V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT4126-7 | Diodes Inc | TRANSISTOR DUAL PNP -25V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC857BS-7-F | Diodes Inc | TRANS BIPO PNP DUAL 200MW SC70-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
IMT17-7 | Diodes Inc | TRANS PNP DUAL 50V 500MA SOT-26 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 300mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-26 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT4403-7 | Diodes Inc | TRANSISTOR DUAL PNP -40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT2222A-7-F | Diodes Inc | TRANS NPN BIPOL DUAL 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT3946-7-F | Diodes Inc | TRANS COMP PAIR 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV, 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BC847BV-7 | Diodes Inc | TRANS DUAL NPN 45V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT2222A-7 | Diodes Inc | TRANSISTOR DUAL NPN 40V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT3906-7-F | Diodes Inc | TRANS DUAL PNP 40V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
HBDM60V600W-7 | Diodes Inc | TRANS ARRAY NPN/PNP DUAL SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V, 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA, 500mA · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT2907V-7 | Diodes Inc | TRANSISTOR DUAL PNP 60V SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 150mW · Модуляция частот: 200MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MMDT5551-7 | Diodes Inc | TRANSISTOR DUAL NPN 160V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная: 200mW · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXTDC3M832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN 50V PNP 40V 8MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V, 40V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4A, 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 165MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXTDCM832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN DUAL LOSAT 50V 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 165MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZDT1147TA | Diodes/Zetex | TRANS PNP DUAL 12V 5A DOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 20mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 115MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZDT694TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN DUAL 120V .5A SOT223-8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.75W · Модуляция частот: 130MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (8 leads), SM8 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ZXTDA1M832TA | Diodes/Zetex | TRANS NPN/PNP DL 15/-12V 8-MLP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 12V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3A · Ток коллектора (макс): 4.5A, 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 25nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная: 2.45W · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-MLP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |