Биполярные транзисторы (сборки) | Дискретные полупроводники

Analog Devices Inc
Diodes Inc
Diodes/Zetex
Fairchild Semiconductor
Infineon Technologies
Intersil
Micro Coммercial Co
National Semiconductor
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic - SSG
Rohm Semiconductor
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
STMicroelectronics
Toshiba
TT Electronics/Optek Technology

7V
10V
11В
12В
15V
15V, 12V
17.5V
20В
20V, 10V
20V, 50V
24V
25V
30В
30V, 6V
32V
35V
36V
40В
40V, 15V
40V, 60V
45V
45V, 40V
50V
50V, 10V
50V, 20V
50V, 40V
60V
60V, 40V
60V, 65V
65V
75V
80V
80V, 70V
100V
120V
140V
150V
160V
160V, 150V
300V
400В

44mV @ 100mA, 1A
60mV @ 1mA, 100µA
80mV @ 50mA, 500mA
100mV @ 100µA, 1mA
100mV @ 1mA, 10mA
100mV @ 3mA, 30mA
100mV, 145mV @ 50mA, 500mA
110mV @ 1mA, 100mA
110mV, 165mV @ 1mA, 100mA
115mV @ 200mA, 2A
130mV @ 10mA, 1A
140mV @ 20mA, 1A
150mV @ 10mA, 200mA
150mV @ 1mA, 10mA
160mV @ 150mA, 3A
165mV @ 1mA, 100mA
170mV @ 10mA, 1A
170mV @ 20mA, 2A
170mV @ 6mA, 300mA
180mV @ 10mA, 2A
180mV @ 50mA, 1A
200mV @ 100µA, 1mA
200mV @ 10mA, 1A
200mV @ 10mA, 500mA
200mV @ 125mA, 2.5A
200mV @ 1mA, 10mA
200mV @ 500µA, 10mA
200mV @ 50mA, 1.5A
200mV @ 50mA, 2.5A
200mV @ 50mA, 2A
200mV @ 50mA, 3A
200mV @ 5mA, 100mA
200mV @ 5mA, 50mA
200mV, 250mV @ 1mA, 10mA
200mV, 500mV @ 5mA, 50mA
220mV @ 10mA, 200mA
220mV @ 2.5A, 50mA
235mV @ 30mA, 1.5A
250mV @ 0.1mA, 1mA
250mV @ 0.5mA, 10mA
250mV @ 100mA, 3A
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 10mA, 200mA
250mV @ 1mA, 10mA
250mV @ 50mA, 1.5A
250mV @ 50mA, 3A
250mV @ 50mA, 500mA
250mV @ 5mA, 100mA
250mV @ 5mA, 50mA
250mV, 200mV @ 1mA, 10mA
250mV, 300mV @ 0.5mA, 10mA
260mV @ 100mA, 2A
270mV @ 30mA, 3A
280mV @ 20mA, 400mA
280mV @ 50mA, 4.5A
300mV @ .5mA, 10mA
300mV @ 0.5mA, 10mA
300mV @ 100mA, 3A
300mV @ 10mA, 100mA
300mV @ 10mA, 200mA
300mV @ 15mA, 150mA
300mV @ 1mA, 10mA
300mV @ 200mA, 2A
300mV @ 500µA, 10mA
300mV @ 50mA, 3A
300mV @ 50mA, 5A
300mV @ 5mA, 100mA
300mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 8mA, 400mA
300mV, 250mV @ 10mA, 100mA
300mV, 400mV @ 5mA, 50mA
300mV, 500mV @ 10mA, 100mA
375mV @ 15mA, 750mA
400mV @ 15mA, 150mA
400mV @ 20mA, 500mA
400mV @ 30mA, 300mA
400mV @ 5mA, 100mA
400mV @ 5mA, 50mA
400mV, 500mV @ 5mA, 50mA
500mV @ 100mA, 1A
500mV @ 10mA, 100mA
500mV @ 1mA, 10mA
500mV @ 200mA, 2A
500mV @ 20mA, 200mA
500mV @ 2mA, 20mA
500mV @ 4mA, 20mA
500mV @ 50mA, 500mA
500mV @ 50mA, 5A
500mV @ 5mA, 10mA
500mV @ 5mA, 1A
500mV @ 5mA, 400mA
500mV @ 5mA, 50mA
500mV, 250mV @ 5mA, 50mA
500mV, 300mV @ 10mA, 100mA
500mV, 400mV @ 5mA, 50mA
600mV @ 100mA, 1A
600mV @ 30mA, 300mA
600mV @ 50mA, 500mA
600mV @ 5mA, 100mA
650mV @ 5mA, 100mA
700mV @ 100mA, 2A
700mV @ 250mA, 5A
700mV @ 50mA, 500mA
700mV @ 5mA, 50mA
750mV @ 50mA, 500mA
900mV @ 30mA, 300mA
1V @ 50mA, 500mA
1V, 1.6V @ 50mA, 500mA
1.28V @ 2mA, 1.75A
1.4V @ 30mA, 300mA
1.4V @ 4mA, 1A
1.5V @ 1mA, 1A
1.5V @ 3mA, 1.5A
1.6V @ 30mA, 300mA
1.6V @ 50mA, 500mA
2.5V @ 2mA, 2A

10mA
15mA
15mA, 100mA
20mA
25mA
30mA
50mA
50mA, 100mA
65mA
100mA
100mA, 500mA
150mA
200mA
300mA
500mA
500mA, 100mA
600mA
600mA, 500mA
800mA
870mA, 770mA
1A
1.2A
1.35A, 1.1A
1.5A
1.5A, 1.25A
1.75A
2A
2A, 1.5A
2.5A
2.7A
3A
3.5A
3.5A, 2.5A
3.5A, 3A
4A
4A, 3.5A
4A, 3A
4.5A
4.5A, 3.5A
4.5A, 4A
5A
5A, 3.5A

400pA
500pA
5nA
10nA
15nA
20nA
25nA
50nA
100nA
500nA
1µA
2µA
10µA
100µA
1mA
100mA
150mA

25 @ 1mA, 10V
25, 160 @ 2mA, 10V
27 @ 10mA, 10V
30 @ 3A, 2V
40 @ 100µA, 1V
40 @ 10mA, 10V
40 @ 10mA, 1V
40 @ 10mA, 3V
40 @ 10mA, 5V
40 @ 1mA, 6V
40, 60 @ 100µA, 1V
50 @ 100mA, 5V
50 @ 10mA, 1V
50 @ 1mA, 10V
50 @ 1mA, 1V
50 @ 20mA, 8V
56 @ 5mA, 10V
60 @ 100µA, 1V
60 @ 100mA, 1V
60 @ 10mA, 1V
60 @ 10mA, 5V
60, 50 @ 10mA, 1V
65 @ 1mA, 6V
75 @ 10mA, 1V
75 @ 2mA, 5V
75 @ 5mA, 4V
80 @ 10mA, 5V
80 @ 5A, 2V
80, 60 @ 10mA, 5V
85 @ 150mA, 10V
90 @ 10mA, 1V
90 @ 1mA, 6V
90 @ 500mA, 2V
100 @ 10mA, 1V
100 @ 150mA, 10V
100 @ 150mA, 1V
100 @ 150mA, 2V
100 @ 1A, 2V
100 @ 1mA, 10V
100 @ 1mA, 1V
100 @ 1mA, 5V
100 @ 500mA, 2V
100 @ 500mA, 5V
100, 125 @ 2mA, 5V
100, 220 @ 2mA, 5V
100, 420 @ 2mA, 5V
110 @ 2mA, 5V
110, 200 @ 2mA, 5V
120 @ 100mA, 3V
120 @ 10mA, 1V
120 @ 1mA, 6V
120 @ 2mA, 1V
125 @ 2mA, 5V
150 @ 10µA, 5V
150 @ 100mA, 1V
150 @ 100mA, 2V
150 @ 2mA, 10V
150 @ 500mA, 5V
160 @ 100mA, 1V
160 @ 100mA, 2V
160 @ 2mA, 10V
180 @ 100mA, 2V
180 @ 2mA, 10V
180 @ 2mA, 6V
200 @ 10mA, 2V
200 @ 1A, 2V
200 @ 2mA, 10V
200 @ 2mA, 5V
200 @ 2mA, 6V
200 @ 500mA, 2V
200 @ 500mA, 5V
200, 100 @ 500mA, 2V
200, 220 @ 2mA, 5V
220 @ 2mA, 5V
220 @ 500mA, 2V
250 @ 500mA, 2V
250, 200 @ 1mA, 5V
270 @ 10µA, 5V
270 @ 10mA, 2V
300 @ 100mA, 2V
300 @ 10mA, 2V
300 @ 1A, 2V
300 @ 200mA, 2V
300 @ 500mA, 2V
300 @ 500mA, 5V
300 @ 50mA, 2V
300, 250 @ 500mA, 5V
400 @ 100mA, 2V
400 @ 1A, 2V
400 @ 200mA, 2V
400 @ 2mA, 10V
400 @ 300mA, 2V
420 @ 2mA, 5V
500 @ 10µA, 5V
500 @ 4mA, 2V
560 @ 10mA, 3V
1000 @ 1A, 4V
2000 @ 1.5A, 2V
2000 @ 1500mA, 2V
2000 @ 1A, 2V
2000 @ 1A, 5V
3000 @ 1A, 5V
5000 @ 500mA, 5V

50mW
85mW
125mW
150mW
180mW
200mW
225mW
230mW
250mW
290mW
300mW
330mW
350mW
370mW
380mW
385mW
400мВт
420mW
450мВт
500мВт
600mW
660мВт
700мВт
750мВт
783mW
800мВт
940mW
1Вт
1.04W
1.1W
1.7Вт
1.8W
2Вт
2.45W
2.5Вт
2.75W
4Вт
4.4W

7MHz
30MHz
50MHz
60MHz
80MHz
80MHz, 150MHz
85MHz
100MHz
100MHz, 80MHz
110MHz
112MHz
114MHz
115MHz
120MHz
130MHz
132MHz
140MHz
140MHz, 120MHz
140MHz, 180MHz
150MHz
150MHz, 130MHz
150MHz, 200MHz
150MHz, 80MHz
160MHz
165MHz
170MHz
175MHz
180MHz
180MHz, 140MHz
185MHz
190MHz
190MHz, 100MHz
200MHz
200MHz, 130MHz
200MHz, 80MHz
215MHz
220MHz
220MHz, 185MHz
240MHz
250MHz
250MHz, 200MHz
250MHz, 300MHz
260MHz
300MHz
300MHz, 200MHz
300MHz, 250MHz
320MHz
320MHz, 260MHz
350MHz
380MHz
420MHz
420MHz, 280MHz
440MHz
450MHz
450MHz, 1500MHz
490MHz
500MHz
650MHz
650MHz, 150MHz
700MHz
1.15GHz
1.5GHz
1.6GHz, 150MHz
2.5GHz
3.2GHz
4GHz
4.5GHz
8.5GHz

NPN, PNP
NPN, PNP Darlington (Dual)
2 NPN (Dual)
2 NPN Darlington (Dual)
2 PNP (Dual)
2 PNP Darlington (Dual)
4 NPN (Quad)
4 NPN Darlington
4 PNP (Quad)
5 NPN

Поверхностный монтаж
Through Hole

EMT5
EMT6
Mini 5P
Mini 6P
MLP-832
Non-Standard Surface Mount
S-Mini 5P
S-Mini 6P
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-74-5, SOT-753
SC-74-6
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-223 (8 leads), SM8
SOT-23-6
SOT-26
SOT-563
SOT-963
SS Mini 6P
SS Mini-6 (SOT-666)
SSS Mini 6
TO-5
TO-78-6 Metal Can
TO-99-6
2-3T1A
2-3T1D
6-DFN
6-LCC
6-SSOT, SuperSOT-6
8-DIP (300 mil)
8-SOIC (3.9мм ширина)
10-SIP
12 Pin SIP Horz
14-DIP (300 mil)
14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
16-DIP (300 mil)
16-SOIC (3.9мм ширина)
8-MLP
8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 235mV @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.1W · Модуляция частот: 380MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 440MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 250mA, 5A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 2V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 2-3T1A

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V · Мощность макcимальная: 940mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 4Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 660мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 2-3T1D

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1500mA, 2V · Мощность макcимальная: 4Вт · Модуляция частот: 60MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V · Мощность макcимальная: 4.4W · Модуляция частот: 60MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 12 Pin SIP Horz

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 4mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 4Вт · Модуляция частот: 7MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-LCC

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: 4 PNP (Quad) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: 4 NPN (Quad) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	VEC2102-TL-E	SANYO Semiconductor (U.S.A) Co	TRANS PNP DUAL 30V 3A VEC8 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 235mV @ 30mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.1W · Модуляция частот: 380MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	SCH2201-TL-E	SANYO Semiconductor (U.S.A) Co	TRANS NPN DUAL 15V 0.8A SCH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальная: 400мВт · Модуляция частот: 440MHz · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	STS01DTP06	STMicroelectronics	TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	STS05DTP03	STMicroelectronics	TRANS DUAL NPN-PNP BIPO 8SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 250mA, 5A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 2V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TPC6901(TE85L,F)	Toshiba	TRANS NPN/PNP 50V 1A VS6 2-3T1A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 2-3T1A	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TPCP8701(TE85L,F)	Toshiba	IC TRANS DUAL NPN 50V 2-3V1C Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V · Мощность макcимальная: 940mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MP4020(F)	Toshiba	TRANS MOD NPN QUAD 60V 2A 10-SIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 4Вт · Модуляция частот: 100MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TPC6701(TE85L,F)	Toshiba	TRANS NPN DUAL 50V 1A VS6 2-3T1D Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная: 660мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 2-3T1D	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MP4104(Q)	Toshiba	TRANS MOD NPN QUAD 100V 4A 10-SI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1500mA, 2V · Мощность макcимальная: 4Вт · Модуляция частот: 60MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MP4301(Q)	Toshiba	TRANS MOD NPN QUAD 100V 3A 12SIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V · Мощность макcимальная: 4.4W · Модуляция частот: 60MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 12 Pin SIP Horz	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TPCP8901(TE85L,F)	Toshiba	IC TRANS NPN PNP 50V 2-3V1C	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	MP4015(Q)	Toshiba	TRANS MOD NPN QUAD 60V 5A 10-SIP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 4mA, 1A · Ток коллектора (макс): 5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V · Мощность макcимальная: 4Вт · Модуляция частот: 7MHz · Тип транзистора: 4 NPN Darlington · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: 10-SIP	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	TPCP8F01(TE85L,F)	Toshiba	MOSFET N-CH PNP 20V 2-3V1B	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N4854UTX	TT Electronics/Optek Technolog	TRANSISTR NPN/PNP 40V 600MA SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-LCC	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N6987U	TT Electronics/Optek Technolog	TRANSISTR PNP QUAD HERMETIC SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: 4 PNP (Quad) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N5794U	TT Electronics/Optek Technolog	TRANSISTR NPN DUAL HERMETIC SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 75V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N5796U	TT Electronics/Optek Technolog	TRANSISTR PNP DUAL HERMETIC SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N6989U	TT Electronics/Optek Technolog	TRANSISTR NPN QUAD HERMETIC SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип транзистора: 4 NPN (Quad) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Non-Standard Surface Mount	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	2N4854U	TT Electronics/Optek Technolog	TRANSISTR NPN/PNP 40V 600MA SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-LCC	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки)