Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель	ON Semiconductor

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	15V
Модуляция частот	800MHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)	6dB @ 200MHz
Усиление	24dB
Мощность макcимальная	350mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 5mA, 10V
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Встречается под наим.	MPSH17OS

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPSH17RLRAG	ON Semiconductor	TRANS NPN RF CATV BIPO 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 800MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках
	MPSH17G	ON Semiconductor	TRANS NPN RF SS 15V TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 800MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226		Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MPSH17	Fairchild Semiconductor	TRANS NPN 15V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 800MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов