Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SD1728 | STMicroelectronics | TRANSISTOR NPN RF HF SSB M177 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V · Усиление: 15dB ~ 17dB · Мощность макcимальная: 330W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 23 @ 10A, 6V · Ток коллектора (макс): 40A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M177 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
ST83003 | STMicroelectronics | TRANS NPN FAST SW HI VOLT SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Мощность макcимальная: 40Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V · Ток коллектора (макс): 1.5A · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-32-3, TO-126-3 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
START499ETR | STMicroelectronics | TRANS RF SILICON NPN Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 1.9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz · Усиление: 15dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 160mA, 4V · Ток коллектора (макс): 600mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89-3, TO-243-3 · Compression Point (P1dB): 23.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1275-01 | STMicroelectronics | TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M113 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 8A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M113 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
START405TR | STMicroelectronics | TRANS RF NPN SILICON SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 17.4dB · Мощность макcимальная: 45mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 4V · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1274-01 | STMicroelectronics | TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M113 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 8A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M113 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
START499D | STMicroelectronics | TRANS RF NPN 4.5V 1A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Усиление: 13dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 1.7Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 160mA, 3V · Ток коллектора (макс): 1A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1433 | STMicroelectronics | TRANSISTOR NPN RF UHF 4LEAD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Модуляция частот: 450MHz ~ 512MHz · Усиление: 7dB · Мощность макcимальная: 58W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V · Ток коллектора (макс): 2.5A · Тип монтажа: Chassis, Stud Mount · Корпус: M122 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SD1477 | STMicroelectronics | TRANSISTOR NPN RF BIPO VHF 6LEAD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Усиление: 6dB · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V · Ток коллектора (макс): 20A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M111 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1727 | STMicroelectronics | TRANSISTOR NPN RF HF SSB M164 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V · Усиление: 14dB · Мощность макcимальная: 233W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V · Ток коллектора (макс): 10A · Тип монтажа: Chassis, Stud Mount · Корпус: M164 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1731 | STMicroelectronics | TRANSISTOR NPN RF HF SSB M174 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 233W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 6V · Ток коллектора (макс): 20A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M174 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1275 | STMicroelectronics | TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M135 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 9dB · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 8A · Тип монтажа: Chassis, Stud Mount · Корпус: M135 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1405 | STMicroelectronics | TRANS NPN RF MCRWAVE HF SSB M174 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 270Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V · Ток коллектора (макс): 20A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M174 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1488 | STMicroelectronics | TRANSISTOR NPN RF BIPO VHF 6LEAD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Модуляция частот: 470MHz · Усиление: 5.8dB · Мощность макcимальная: 117Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V · Ток коллектора (макс): 8A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M111 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1274 | STMicroelectronics | TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M135 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 16V · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 70Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V · Ток коллектора (макс): 8A · Тип монтажа: Chassis, Stud Mount · Корпус: M135 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1446 | STMicroelectronics | TRANSISTOR NPN RF BIPO UHF M113 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Усиление: 10dB · Мощность макcимальная: 183W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V · Ток коллектора (макс): 12A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M113 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SD1487 | STMicroelectronics | TRANSISTOR PWR RF Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 18В · Мощность макcимальная: 290Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V · Ток коллектора (макс): 20A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M174 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD1726 | STMicroelectronics | TRANSISTOR NPN RF HF SSB M174 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 55V · Усиление: 14dB · Мощность макcимальная: 318W · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V · Ток коллектора (макс): 20A · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Compression Point (P1dB): 150Вт | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC2839E-SPA-AC | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS NPN 20V 30MA SPA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 320MHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz · Усиление: 25dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Through Hole | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
4MP10CH-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS PNP 200V 100MA CPH3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Модуляция частот: 400MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC6023-TR-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS NPN 3.5V 35MA MCP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V · Модуляция частот: 14.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC6024-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS NPN 3.5V 35MA SSFP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
MCH4009-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.5V · Модуляция частот: 25GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 120mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Compression Point (P1dB): 13.5dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
CPH6071-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS PNP/NPN 20V 0.3MA CPH6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 2.2GHz · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип транзистора: NPN, PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Ток коллектора (макс): 300mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SA1778-3-TB-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | TRANS PNP 15V 50MA CP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 1.2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 400MHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: PNP · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |