Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель
















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)








































Модуляция частот













































































Коэфицент шума (dB Typ @ f)


































































































































































Усиление


































































































































Мощность макcимальная



























































































Тип транзистора







Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce























































































































































































Ток коллектора (макс)






















































Тип монтажа


Корпус









































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
AT-42070Avago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 70-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 6GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 14dB ~ 10.5dB  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (70 mil)  ·  Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-32063-TR1AT-32063-TR1Avago Technologies US Inc.IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 32mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  ·  Compression Point (P1dB): 12dBm
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-32063-TR1GAT-32063-TR1GAvago Technologies US Inc.IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz  ·  Усиление: 12.5dB ~ 14.5dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 32mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-41533-TR1AT-41533-TR1Avago Technologies US Inc.IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz  ·  Усиление: 14.5dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Compression Point (P1dB): 14.5dB
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-30533-TR2GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz  ·  Усиление: 11dB ~ 13dB  ·  Мощность макcимальная: 100mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 8mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Compression Point (P1dB): 7dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-31033-BLKGAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 5.5V 16MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz  ·  Усиление: 9dB ~ 11dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 16mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Compression Point (P1dB): 9dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42086-TR1GAT-42086-TR1GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 13dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (86 Plastic)  ·  Compression Point (P1dB): 20.5dB ~ 20dB
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-41486-BLKGAT-41486-BLKGAvago Technologies US Inc.TRANS SIL LOW NOISE BIPOL 45MD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz  ·  Усиление: 18dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 60mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (86 Plastic)  ·  Compression Point (P1dB): 18dBm
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-32032-TR2GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 5.5V 30MA SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.25dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 15dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Compression Point (P1dB): 13dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-41533-TR1GAT-41533-TR1GAvago Technologies US Inc.IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz  ·  Усиление: 14.5dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Compression Point (P1dB): 14.5dB
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-41511-TR1AT-41511-TR1Avago Technologies US Inc.IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz  ·  Усиление: 15.5dB ~ 11dB  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA  ·  Compression Point (P1dB): 17.5dB ~ 14.5dB
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-32032-BLKGAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 5.5V 30MA SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.25dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  ·  Усиление: 13.5dB ~ 15dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 30mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Compression Point (P1dB): 13dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-41511-TR1GAT-41511-TR1GAvago Technologies US Inc.IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz  ·  Усиление: 14.5dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA  ·  Compression Point (P1dB): 14.5dB
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-32033-TR1GAT-32033-TR1GAvago Technologies US Inc.IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz  ·  Усиление: 11dB ~ 12.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 32mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-32063-BLKGAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz  ·  Усиление: 12.5dB ~ 14.5dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 32mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  ·  Compression Point (P1dB): 12dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-32011-TR1GAT-32011-TR1GAvago Technologies US Inc.IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz  ·  Усиление: 12.5dB ~ 14dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 32mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA  ·  Compression Point (P1dB): 14.5dB
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-30533-BLKGAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz  ·  Усиление: 11dB ~ 13dB  ·  Мощность макcимальная: 100mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 8mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Compression Point (P1dB): 7dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-41486-TR1GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 17dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 60mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 4-SMD (86 Plastic)  ·  Compression Point (P1dB): 18dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-41532-TR1Avago Technologies US Inc.IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 2.4GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz  ·  Усиление: 15.5dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Compression Point (P1dB): 14.5dB
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-64023Avago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 20V 200MA 230-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Модуляция частот: 4GHz  ·  Мощность макcимальная: 3Вт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 200mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж  ·  Compression Point (P1dB): 27.5dBm ~ 26.5dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-41533-TR2GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 50MA SOT-23
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 10GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz  ·  Усиление: 15.5dB ~ 11dB  ·  Мощность макcимальная: 225mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Ток коллектора (макс): 50mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Compression Point (P1dB): 14.5dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-32032-TR1Avago Technologies US Inc.IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-323
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 40mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Compression Point (P1dB): 13dBm
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-32063-TR2GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz  ·  Усиление: 12.5dB ~ 14.5dB  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 32mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  ·  Compression Point (P1dB): 12dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-42086-TR2GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Модуляция частот: 8GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz  ·  Усиление: 13dB ~ 9dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 80mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж  ·  Compression Point (P1dB): 20.5dBm ~ 20dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
AT-30511-TR1GAvago Technologies US Inc.TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-143
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz  ·  Усиление: 14dB ~ 16dB  ·  Мощность макcимальная: 100mW  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 2.7V  ·  Ток коллектора (макс): 8mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA  ·  Compression Point (P1dB): 7dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 30  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте