Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
AT-41532-TR1G | Avago Technologies US Inc. | IC TRANS NPN GP BIPOLAR SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz · Усиление: 15.5dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 225mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Compression Point (P1dB): 14.5dB | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-32063-BLKG | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 12.5dB ~ 14.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 32mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 · Compression Point (P1dB): 12dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-32063-TR2G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 5.5V 32MA SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 12.5dB ~ 14.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 32mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 · Compression Point (P1dB): 12dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 540F E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 30GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz · Усиление: 20dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 3.5V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-4 · Compression Point (P1dB): 11dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NESG2030M04-T2-A | NEC | TRANS NPN 2GHZ SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 2.3V · Модуляция частот: 16GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 80mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 12dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
START405TR | STMicroelectronics | TRANS RF NPN SILICON SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 17.4dB · Мощность макcимальная: 45mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 4V · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE856M03-T1-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1GHZ SC-90 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 4.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 3-XSOF, MiniMold | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG540/XR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B REV Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz · Усиление: 15dB ~ 16dB · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 21dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG540,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 21dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFM505,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN DUAL 8V 9GHZ SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz · Усиление: 17dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG540W/X,115 | NXP Semiconductors | TRANS WIDEBAND 9GHZ SOT-343 15V Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.1dB @ 2GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343N · Compression Point (P1dB): 21dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE678M04-T2-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 13.5dB · Мощность макcимальная: 205mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M04 · Compression Point (P1dB): 18dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE677M04-T2-A | NEC | TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 15GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 205mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: M04 · Compression Point (P1dB): 15dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG520/XR,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 6V 70MA SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.6dB ~ 2.1dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA · Compression Point (P1dB): 17dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE685M33-T3-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ M33 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 12GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Мощность макcимальная: 130mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFR540,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 120MA 15V 9GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz · Усиление: 12dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 21dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
AT-32063-TR1G | Avago Technologies US Inc. | IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz · Усиление: 12.5dB ~ 14.5dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN (Dual) · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2.7V · Ток коллектора (макс): 32mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC393700L | Panasonic - SSG | TRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 800MHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SC3937G0L | Panasonic - SSG | TRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 800MHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFS540,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 15V 120MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Compression Point (P1dB): 21dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
NE851M03-T1-A | NEC | TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5.5V · Модуляция частот: 6.5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz · Усиление: 4.5dB ~ 5.5dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP450E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 24GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 19dBm | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFP 450 E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 24GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB · Мощность макcимальная: 450мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V · Ток коллектора (макс): 100mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 · Compression Point (P1dB): 19dBm ~ 18.5dBm | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFU725F,115 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 20GHZ SOT343F Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3.2V · Модуляция частот: 68GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.67dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz · Усиление: 13dB ~ 8.5dB · Тип транзистора: NPN · Ток коллектора (макс): 40mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-343F, SOT-343 Flat Leads | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BFG25A/X,215 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 5V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz · Усиление: 18dB · Мощность макcимальная: 32mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V · Ток коллектора (макс): 6.5mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |