Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы
 

NE3512S02-T1D-A — HJ-FET NCH 13.5DB S02

ПроизводительNEC
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораHFET
Частота12GHz
Усиление13.5dB
Номинальное напряжение4V
Номинал тока70mA
Коэффициент шума0.35dB
Ток - тестовый10mA
Напряжение - тестовое2V
КорпусS02
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE3512S02-T1C-ANECHJ-FET NCH 13.5DB S02
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 12GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 70mA  ·  Коэффициент шума: 0.35dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  Корпус: S02
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NE3512S02-ANE3512S02-ANECHJ-FET NCH 13.5DB S02
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 12GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 70mA  ·  Коэффициент шума: 0.35dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  Корпус: S02
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NE3511S02-ANECHJ-FET NCH 13.5DB S02
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 12GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 70mA  ·  Коэффициент шума: 0.3dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  Корпус: S02
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NE3512S02-T1D-A» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте