Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

NE3512S02-T1C-A — HJ-FET NCH 13.5DB S02

Производитель: NEC  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: HFET  •  Частота: 12GHz  •  Усиление: 13.5dB  •  Номинальное напряжение: 4V  •  Номинал тока: 70mA  •  Коэффициент шума: 0.35dB  •  Ток - тестовый: 10mA  •  Напряжение - тестовое: 2V  •  Корпус: S02
Архив документации

  Sure Technology  


Производители
Города
Версия для печати
Страница с результатами, оптимизированная для печати.
Бросить клич!
Отправьте список нужной номенклатуры сразу 170 менеджерам поставщиков!

Поставщики «NE3512S02-T1C-A»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdNE3512S02-T1C-A
Подробнее
Intersil (Renesas Electronics Corporation)0.6$5500
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDСвежие данные!NE3512S02-T1C-A
RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET Подробнее
CEL0.212$13030
NE3512S02-T1C-A
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Подробнее
Rochester Electronics, LLC0.212$13000
Icseek Global LimitedNE3512S02-T1C-A
Оригинальный и наличный и новый
RENESAS 6482
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!NE3512S02-T1C-A
yпаковка: TO-50; год: 22+
NEC 45000
Digi-ic_SMART PIONEER electronicСвежие данные!NE3512S02-T1C-A
HJ-FET NCH 13.5DB S02 Подробнее
CEL 131139
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDNE3512S02-T1C-A
год: 11+
NEC 4476
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.NE3512S02-T1C-A
22+; год: 23384
NEC4$
SHENZHEN SHENGYU ELECTRONICS TECHNOLOGY LIMITEDСвежие данные!NE3512S02-T1C-A
RF MOSFET HFET 2V S02
Renesas Electronics Corporation 13229
NE3512S02-T1C-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
CEL 10366
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD.Свежие данные!NE3512S02-T1C-A
RF MOSFET HFET 2V S02
Renesas Electronics Corporation 14643
NE3512S02-T1C-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
CEL 11148
АО "Контест"NE3512S02-T1C-A
Подробнее
NEC
Acme Chip Technology Co.,LimitedСвежие данные!NE3512S02-T1C-A
RF MOSFET HFET 2V S02
Renesas Electronics Corporation 13408
NE3512S02-T1C-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
CEL 11312
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯNE3512S02-T1C-A
HJ-FET NCH 13.5DB S02
CEL
NE3512S02-T1C-A
HJ-FET NCH 13.5DB S02
CEL
NE3512S02-T1C-A
HJ-FET NCH 13.5DB S02
CEL
NE3512S02-T1C-A
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Rochester Electronics, LLC 6000
ООО "Интегральные схемы"NE3512S02-T1C-A от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"NE3512S02-T1C-A от 7 дней
CHIP DIGGER LIMITEDNE3512S02-T1C-A
RF MOSFET HFET 2V S02
Renesas Electronics Corporation 10336
NE3512S02-T1C-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
CEL 12949


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
Acme Chip Technology Co.,Limitedshenzhen(86) 189023151210  0 Скрыть
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDHongKong(852) 8191 18020  0 Скрыть
CHIP DIGGER LIMITEDshenzhen(86) 134228976960  0 Скрыть
Digi-ic_SMART PIONEER electronicHong Kong(86) 135123388010  0 Скрыть
SHENZHEN(86) 0755-82535750
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdSHENZHEN(86) 152200899930  0 Скрыть
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedШэньчжэнь(86) 18938853596, Факс: (0755) 825698150  0 Скрыть
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDChangsha(731) 85241908, Факс: (731) 852419080  0 Скрыть
Icseek Global LimitedШэньчжэнь(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908)0  0 Скрыть
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.Shenzhen(86) 188190334530  0 Скрыть
Hongkong(852) 66497453
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD.shenzhen(86) 177278788500  0 Скрыть
SHENZHEN SHENGYU ELECTRONICS TECHNOLOGY LIMITEDshenzhen(86) 180380522160  0 Скрыть
АО "Контест"Москва(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-736  27 Скрыть
Воронеж(473) 239-22-32
ООО "АСПЕКТ"Санкт-Петербург(812) 309-89-320  0 Скрыть
ООО "Интегральные схемы"Санкт-Петербург(812) 448-53-820  0 Скрыть
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯСанкт-Петербург(812) 409-49-130  1 Скрыть
Москва(499) 322-80-72
«NE3512S02-T1C-A» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2158 отечественных и 764 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать