Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PTFA212001E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212001F/1 P4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212001F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212001F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212401E V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 240W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212401E V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 240W H-36260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212401F V4Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 240W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA212401F V4 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 240W H-37260-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.14GHz  ·  Усиление: 15.8dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.6A  ·  Напряжение - тестовое: 30В  ·  P1dB: 50Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA240451E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.48GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: H30265-2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA240451E V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.48GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA241301E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.42GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.15A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 130Вт  ·  Корпус: H30260-2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA241301F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.42GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.15A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 130Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260451E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 500mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 45Вт  ·  Корпус: H30265-2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260851E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 85W H-30248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 85Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260851E V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 85W H-30248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 85Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260851F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 85W H-31248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 85Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA260851F V1 R250Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 85W H-31248-2
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 85Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA261301E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 130Вт  ·  Корпус: H30260-2
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA261301F V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 130W H-31260-2
Серия: GOLDMOS®  ·  Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.68GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.4A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 130Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PTFA261702E V1Infineon TechnologiesIC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2.66GHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 10µA  ·  Ток - тестовый: 1.8A  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 170Вт
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2900SD2900STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 900mA  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 5Вт  ·  Корпус: M113
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2902SD2902STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.5A  ·  Ток - тестовый: 25mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 15Вт  ·  Корпус: M113
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2903SD2903STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M229
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 15dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: M229
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2904SD2904STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 400MHz  ·  Усиление: 11.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 5A  ·  Ток - тестовый: 50mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: M113
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SD2918SD2918STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113
Тип транзистора: N-Channel  ·  Частота: 30MHz  ·  Усиление: 22dB  ·  Номинальное напряжение: 125V  ·  Номинал тока: 6A  ·  Ток - тестовый: 100mA  ·  Напряжение - тестовое: 50V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: M113
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 4243444546474849  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте