Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
PTFA212001E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA212001F/1 P4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
PTFA212001F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA212001F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA212401E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA212401F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA212401F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA240451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.48GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: H30265-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA240451E V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.48GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 450mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA241301E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.42GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: H30260-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA241301F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.42GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.15A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт · Корпус: H30265-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260851E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260851E V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-30248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260851F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA260851F V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 900mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 85Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA261301E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт · Корпус: H30260-2 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA261301F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.68GHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.4A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 130Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PTFA261702E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.66GHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.8A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 170Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD2900 | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 900mA · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 5Вт · Корпус: M113 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD2902 | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 13.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.5A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 15Вт · Корпус: M113 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD2903 | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M229 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 15dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: M229 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD2904 | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 400MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: M113 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SD2918 | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 30MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 30Вт · Корпус: M113 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |